[发明专利]一种复合等离子气体清洗活化方法无效
| 申请号： | 201110322169.5 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN103065930A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 不公告发明人 | 申请（专利权）人： | 无锡世一电力机械设备有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/56 |
| 代理公司： | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人： | 杨晓东 |
| 地址： | 214192 江苏省无*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 复合 等离子 气体 清洗 活化 方法 | ||
1.一种复合等离子气体清洗活化方法，包括芯片切割，芯片贴装，导线键合，其特征在于：导线键合后，先使用氩气对引线框架类产品的引线框架，连接导线，芯片或者PCB基板类产品的PCB基板，连接导线，芯片进行等离子处理，再使用氮气对引线框架类产品的引线框架，连接导线，芯片或者PCB基板类产品的PCB基板，连接导线，芯片进行等离子处理，然后进行后道封装工序。
2.根据权利要求1所述的复合等离子气体清洗活化方法，其特征在于：抽真空使得腔体内真空度小于0.25托，将待处理材料的表面与等离子体入射的夹角控制在30-90度之间，射频发生器发出高频波，使连为一体的腔体内的氩气成为等离子体，射频波功率500+/-100瓦，作用时间25+/-10秒，氩气的流量20+/-15标准立方厘米，氩气处理完成后，通入氮气，氮气作用时，射频波功率300+/-150瓦，作用时间30+/-20秒，氮气的流量20+/-15标准立方厘米。
3.根据权利要求1所述的复合等离子气体清洗活化方法，其特征在于：完成等离子处理后的待处理材料在10000及100000级无尘环境下保存的时间小于4小时，在大气中的时间控制在2小时之内，在氮气柜中保存时间小于14小时。
4.根据权利要求1所述的复合等离子气体清洗活化方法，其特征在于：抽真空使得腔体内真空度小于0.23托，将待处理材料的表面与等离子体入射的夹角控制在70-80度之间，射频发生器发出高频波，使连为一体的腔体内的氩气成为等离子体，射频波功率480瓦，作用时间28秒，氩气的流量24标准立方厘米，氩气处理完成后，通入氮气，氮气作用时，射频波功率280瓦，作用时间30秒，氮气的流量22标准立方厘米。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
