[发明专利]热敏陶瓷溅射膜电极的制备方法

权利要求书

1.一种热敏陶瓷溅射膜电极的制备方法，其特征在于包含下列步骤：陶瓷清洗、掩膜装架、抽真空、充工作气体、溅射电极膜；各步骤的内容如下：

陶瓷清洗：把陶瓷基片放到充水的球磨机中滚洗20-60分钟，然后分别放进自来水与去离子水中超声清洗各15分钟以上，最后离心甩干并在摄氏120℃-150℃环境中烘干；

掩膜装架：将经过清洗、烘干的陶瓷基片通过掩膜工装装架到基片架上；

抽真空：将装好陶瓷的基片架置于多靶磁控溅射设备内并抽真空；

充工作气体：当真空度达到10^-3Pa量级时，向真空腔内动态地输入Ar等惰性气体，维持真空腔内氩气的压力在2×10^-1Pa－8×10^-1Pa范围内；

溅射电极膜：在多靶磁控溅射镀膜机中向陶瓷基片表面溅射镀覆多层膜系金属膜，各个磁控溅射溅射靶的溅射功率为2-25W/cm²，靶与基片的间距为5-11cm，溅射镀完膜层后，向溅射腔体内充入大气，取出工件。

2.根据权利要求1所述的热敏陶瓷溅射膜电极的制备方法，其特征在于所述热敏陶瓷是BaTiCO₃为主要成份的热敏半导瓷或压敏陶瓷、热释电陶瓷中的一种，其形状是片状瓷片、环状瓷片和柱状瓷片中的一种。

3.根据权利要求1所述的热敏陶瓷溅射膜电极的制备方法，其特征在于所述多层膜系金属膜由依次布置的底层过渡层溅射薄膜、中间阻挡层溅射薄膜和表面导电层溅射薄膜构成。

4.根据权利要求1和3所述的热敏陶瓷溅射膜电极的制备方法，其特征在于所述的底层过渡层溅射薄膜由钛、铬、铝、铜、镍及其合金中的一种活性较强的金属材料构成，其厚度为50-300nm。

5.根据权利要求1和3所述的热敏陶瓷溅射膜电极的制备方法，其特征在于所述的中间阻挡层溅射薄膜由镍、铬、铜及其合金中的一种材料构成，其厚度为300-5000nm。

6.根据权利要求1和3所述的热敏陶瓷溅射膜电极的制备方法，其特征在于所述表面导电层溅射薄膜由金、银、锡、铜的一种材料构成，其厚度为50-300nm。

7.根据权利要求1和3所述的热敏陶瓷溅射膜电极的制备方法，其特征在于所述多靶磁控溅射机为炉装式镀膜机或连续式镀膜机中的一种，多靶磁控溅射机中的磁控溅射靶是平面靶磁控溅射、柱形靶磁控溅射的一种。