[发明专利]一种基于RF-LDMOS的宽带功率放大器

权利要求书

1.一种基于RF-LDMOS的宽带功率放大器，包含多个集成的不同频率段的窄带功率放大器，其特征是，所述多个窄带功率放大器共用一个输入信号。

2.根据权利要求1所述的基于RF-LDMOS的宽带功率放大器，其特征是，所述输入信号由开关电路切换进入所述多个窄带功率放大器的其中之一。

3.根据权利要求1所述的基于RF-LDMOS的宽带功率放大器，其特征是，所述输入信号与每个所述窄带功率放大器的输入端连接，多个所述窄带功率放大器均与一DC-DC转换电路连接，所述DC-DC转换电路控制所述窄带功率放大器之一开启。

4.根据权利要求2所述的基于RF-LDMOS的宽带功率放大器，其特征是，所述多个窄带功率放大器包含一个共用的输出引脚。

5.根据权利要求1所述的基于RF-LDMOS的宽带功率放大器，其特征是，所述多个窄带功率放大器包含多个输出引脚。

6.根据权利要求4所述的基于RF-LDMOS的宽带功率放大器，其特征是，输出信号由开关电路切换至所述输出引脚。

7.根据权利要求5所述的基于RF-LDMOS的宽带功率放大器，其特征是，所述多个输出引脚中的每个输出引脚对应不同的频率段。

8.根据权利要求6所述的基于RF-LDMOS的宽带功率放大器，其特征是，所述开关电路为RF-LDMOS。

9.根据权利要求3所述的基于RF-LDMOS的宽带功率放大器，其特征是，所述DC-DC转换电路为RF-LDMOS。

10.根据权利要求8或9所述的基于RF-LDMOS的宽带功率放大器，其特征是，所述RF-LDMOS包含重掺杂形成的源、漏，与所述源和漏连接的分别是源金属引线和漏金属引线，所述源端和漏端通过沟道连在一起，所述沟道的上面还包含栅，所述栅与所述沟道之间隔着一层氧化层，所述漏由漏的接触孔和一段漂移区组成；

还包含将所述源端由背面引出的金属背板，所述金属背板上面是高掺杂的衬底，所述高掺杂的衬底上有一层外延层，所述外延层之上是低掺杂的所述漂移区；

所述源金属引线和所述高掺杂的衬底之间由与源掺杂类型相异的重掺杂或者金属连接； 

所述源金属引线下面还包含一与源掺杂类型相异的重掺杂层；所述漏下面设有阱；

所述氧化层和所述栅由绝缘层覆盖，所述绝缘层外还设有场板，由所述绝缘层将所述栅和所述场板隔离。