[发明专利]整流二极管管芯制造方法

权利要求书

1.整流二极管管芯制造方法，包括如下步骤：

a、在N-型单晶硅片一面扩散5价杂质，形成N+层；

b、在所述单晶硅片另一面扩散3价杂质，经过2次扩散分别形成P-层和P+层；

c、在所述N+层和P+层表面形成欧姆接触层；

d、对上述加工完成的硅片进行切割，得到管芯；

e、对所述管芯进行腐蚀，消除切割伤痕并形成管芯形状。

2.根据权利要求1所述的整流二极管管芯制造方法，其特征在于，所述管芯形状为直棱柱和直棱台的组合体，所述直棱柱底面与直棱台上底面连接，并具有相同形状和大小，其棱相互对接，所述直棱柱自上而下由N+层和N-层构成，所述直棱台自上而下由P-层和P+层构成。

3.根据权利要求2所述的整流二极管管芯制造方法，其特征在于，所述直棱柱和直棱台分别为正四棱柱和正四棱台。

4.根据权利要求1所述的整流二极管管芯制造方法，其特征在于，所述5价杂质为磷。

5.根据权利要求1所述的整流二极管管芯制造方法，其特征在于，所述3价杂质为硼。

6.根据权利要求1所述的整流二极管管芯制造方法，其特征在于，所述欧姆接触层由镀镍层构成。

7.根据权利要求6所述的整流二极管管芯制造方法，其特征在于，所述镀镍层采用2次镀镍工艺形成，第一次镀镍后在氢气氛下进行合金化，生成一层镍硅合金，第二次在镍硅合金上再镀一层镍。