[发明专利]一种降低光刻对准失效率的方法

说明书

技术领域

本发明涉及半导体制造领域的冗余图形填充方法，尤其是一种降低光刻对准失效率的冗余图形填充方法。

背景技术

在现有的集成电路制造工艺中，为了提高化学机械研磨及刻蚀工艺的均一性，通常会在0.25微米以下的工艺需要化学机械研磨或刻蚀的层中，加入冗余图形。一种常用的冗余图形式样是矩形方块的阵列，而这种图形与某些光刻机的粗对准标记图形有很高的相似度。当光刻机的预对准精度较差时，粗对准标记附近的冗余图形很容易被认作是粗对准标记或干扰到粗对准标记的信号，从而导致硅片光刻对准失败。

如图1所示，光刻机粗对准标记1与周围的冗余图形2非常相似，致使光刻机粗对准标记附近有很强的干扰信号如图2所示，易造成对准信号误认，进而导致硅片光刻对准失败。

发明内容

针对现有的冗余图形填充过程中存在的问题，本发明提供一种降低光刻对准失效率的冗余图形填充方法。

本发明解决技术问题所采用的技术方案为：

一种降低光刻对准失效率的方法，其中，于一包含光刻机粗对准标记的多层复合结构的预定层中加入冗余图形，且使靠近所述光刻机粗对准标记的所述冗余图形相互错开。

上述一种降低光刻对准失效率的方法，其中，所述预定层为需要化学机械研磨的层或者需要刻蚀的层。

上述一种降低光刻对准失效率的方法，其中，所述冗余图形为矩形方块阵列。

上述一种降低光刻对准失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻机粗对准标记的所述冗余图形为距所述光刻机粗对准标记距离小于10um-500um的冗余图形。

上述一种降低光刻对准失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻机粗对准标记的冗余图形相互错开水平距离为1nm-5000nm。

上述一种降低光刻对准失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻机粗对准标记的冗余图形相互错开垂直距离为1nm-5000nm。

上述一种降低光刻对准失效率的方法，其中，所述靠近所述光刻机粗对准标记的冗余图形与所述光刻机粗对准标记水平距离小于等于100um，垂直距离小于等于100um，所述靠近所述光刻机粗对准标记的冗余图形相互错开水平距离0.2um，靠近所述光刻机粗对准标记的冗余图形相互错开垂直距离0.2um。

本发明的有益效果是：

在硅片光刻粗对准时，使冗余图形的信号与光刻对准标记有明显的区别，从而使其不能被光刻机误认为粗对准标记或干扰粗对准标记的信号，以降低光刻对准的失效率。

附图说明

图1是本现有的冗余图形填充方法填充完后光刻机粗对准标记附近冗余图形的样式；

图2是现有的冗余图形填充方法填充完后光刻机粗对准标记的信号；

图3是本发明一种降低光刻对准失效率的方法的冗余图形填充方法填充完后光刻机粗对准标记附近冗余图形的样式；

图4是本发明一种降低光刻对准失效率的方法的冗余图形填充方法填充完后光刻机粗对准标记的信号。

具体实施方式

下面结合附图和具体实施例对本发明作进一步说明，但不作为本发明的限定。

如图3所示本发明一种降低光刻对准失效率地方法，包括：于一包含光刻机粗对准标记1的多层复合结构的预定层中加入冗余图形2，且使靠近光刻机粗对准标记1的冗余图形2彼此之间相互错开。其中预定层为需要化学机械研磨的层或者需要刻蚀的层，加入的冗余图形2为矩形方块阵列，靠近光刻机粗对准标记1的冗余图形2是指距光刻机粗对准标记1距离小于10um-500um的冗余图形2。

进一步的，靠近光刻机粗对准标记1的冗余图形2相互错开水平距离在1nm-5000nm的范围内，垂直距离在1nm-5000nm的范围内。

为了使硅片光刻粗对准时，冗余图形2的信号与光刻机粗对准标记1有明显的区别，在填充冗余图形2时，将光刻机粗准标记2附近的矩形冗余图形2错开放置，可以有效降低光刻机粗对准的误认，从而降低光刻对准失效率。

在上述此基础上，本发明可以通过以下较佳的方式实施：

其中，靠近光刻机粗对准标记1的冗余图形2与光刻机粗对准标记1水平距离小于等于100um，垂直距离小于等于100um，靠近光刻机粗对准标记1的冗余图形2彼此间相互错开水平距离0.2um，垂直距离0.2um。

如图4所示，以上述较佳的方式实施的冗余图形2的填充方法使光刻机粗对准标记1附近无其他干扰信号，降低了对准信号误认的可能。

以上所述仅为本发明较佳的实施例，并非因此限制本发明的申请专利范围，所以凡运用本发明说明书及图示内容所作出的等效结构变化、利用公知的与本发明中提到具等同作用的物质进行代替，利用公知的与本发明中提到的手段方法具等同作用的手段方法进行替换，所得到的实施方式或者实施结果均包含在本发明的保护范围内。