[发明专利]一种引线框架类半导体封装工艺

权利要求书

1.一种引线框架类半导体封装工艺，包括芯片圆片切割，芯片键合，导线键合，其特征在于，包括以下步骤，步骤a：对引线框架类产品需要处理的部分进行等离子清洗处理；步骤b：对引线框架类产品待处理部分施用助粘剂溶液，使之附着在需要加强的表面；步骤c：助粘剂溶液中的溶剂挥发形成涂层后，进行下道封装工序。

2.根据权利要求1所述的引线框架类半导体封装工艺，其特征在于：所述步骤a中，将引线框架，连接导线，芯片暴露在等离子体入射范围下，抽真空使得腔体内真空度小于0.3托，射频发生器发出高频波，使腔体内的氮气成为等离子体，射频波功率320+/-100瓦，作用时间35+/-15秒，氮气的流量20+/-10标准立方厘米，氮气在电场的驱动下撞击腔内待处理材料的表面；所述步骤b中，用微喷涂设备将助粘剂溶液喷涂在引线框架，连接导线，芯片需要加强的表面上。

3.根据权利要求1所述的引线框架类半导体封装工艺，其特征在于：所述步骤b中助粘剂溶液的活性成分是钛酸酯偶联剂R1-O-Ti-(O-X1-R2-Y)n，有机溶剂含量为97％-99％，助粘剂活性成分含量为1％-3％。

4.根据权利要求1所述的引线框架类半导体封装工艺，其特征在于：所述步骤b的助粘剂溶液中活性成分为三异硬脂酸基钛酸异丙酯或三钛酸异丙酯，其中有机溶剂含量为98％-99.9％，助粘剂活性成分含量为0.1％-2％，助粘剂溶液的使用量为7ml/m²-70ml/m²，溶剂挥发后存留的助粘剂涂层厚度为10-85nm。

5.根据权利要求1所述的引线框架类半导体封装工艺，其特征在于：所述步骤b中，完成等离子清洗处理后的待处理材料暴露在大气中的时间控制在2小时之内，无尘环境下保存的时间小于4小时，氮气柜中保存时间小于14小时，然后喷涂三异硬脂酸基钛酸异丙酯或三钛酸异丙酯溶液，其中有机溶剂含量为99％-99.5％，助粘剂活性成分含量为0.5％-1％，助粘剂溶液的使用量为8ml/m²-60ml/m²，常温挥发或烘干，溶剂挥发后存留的助粘剂涂层厚度为6-80nm。