[发明专利]一种基于PCB基板的表面处理方法无效
申请号: | 201110322983.7 | 申请日: | 2011-10-21 |
公开(公告)号: | CN103065976A | 公开(公告)日: | 2013-04-24 |
发明(设计)人: | 不公告发明人 | 申请(专利权)人: | 无锡世一电力机械设备有限公司 |
主分类号: | H01L21/50 | 分类号: | H01L21/50;H01L21/56 |
代理公司: | 苏州市新苏专利事务所有限公司 32221 | 代理人: | 杨晓东 |
地址: | 214192 江苏省无*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 基于 pcb 表面 处理 方法 | ||
1.一种基于PCB基板的表面处理方法,包括芯片切割、贴装、导线键合,其特征在于,包括以下步骤,步骤a:对PCB基板类产品待处理表面利用氮气进行等离子处理;步骤b:对PCB基板类产品待处理表面喷涂助粘剂溶液,使之附着在待处理表面;步骤c:助粘剂形成涂层后,进行后道封装程序。
2.根据权利要求1所述的基于PCB基板的表面处理方法,其特征在于:所述步骤a或b中待处理表面包括PCB基板、连接导线、芯片。
3.根据权利要求1所述的基于PCB基板的表面处理方法,其特征在于:所述步骤a中,将待处理材料的表面与等离子体入射的夹角控制在30-90度之间,抽真空使得腔体内真空度小于0.2托,射频发生器发出高频波,使腔体内的氮气成为等离子体,射频波功率330+/-100瓦,作用时间35+/-20秒,氮气的流量20+/-15标准立方厘米。
4.根据权利要求1所述的基于PCB基板的表面处理方法,其特征在于:对PCB基板类产品待处理表面喷涂助粘剂溶液的活性成分是硅烷偶联剂(R1-O)2-Si-R2-Y,其中有机溶剂含量为96%-99%,助粘剂活性成分含量为1%-4%,助粘剂溶液的使用量为8ml/m2-80ml/m2。
5.根据权利要求1所述的基于PCB基板的表面处理方法,其特征在于:所述步骤b中,助粘剂溶液均匀喷涂在待处理材料表面,助粘剂的涂层厚度为10-80nm。
6.根据权利要求1所述的基于PCB基板的表面处理方法,其特征在于:对PCB基板类产品待处理表面喷涂助粘剂溶液的活性成分是3-氨丙基硅三醇,溶剂含量为96%-99.5%,活性充分含量为0.5%-4%,助粘剂使用量为10ml/m2-90ml/m2,溶剂挥发后存留的活性纳米层的厚度在10-90nm之间。
7.根据权利要求1所述的基于PCB基板的表面处理方法,其特征在于:对PCB基板类产品待处理表面喷涂助粘剂溶液的活性成分是丁二烯基三乙氧基硅烷,溶剂含量为97%-99.9%,活性充分含量为0.1%-3%,助粘剂使用量为5ml/m2-90ml/m2,溶剂挥发后存留的活性纳米层的厚度在8-90nm之间。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造