[发明专利]一种改善SONOS存储器可靠性性能的方法

权利要求书

1.一种改善SONOS存储器可靠性性能的方法，其特征在于，包括如下步骤：

第一步，在硅衬底上生长隧穿氧化层；

第二步，在隧穿氧化层上生长氮氧化硅阻挡层；

第三步，利用快速热氧化工艺对氮氧化硅阻挡层和隧穿氧化层进行高温退火；

第四步，在氮氧化硅阻挡层上生长氮化硅陷阱层；

第五步，在氮化硅陷阱层上生长高温热氧化层。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第一步中，采用低温热氧化工艺生长隧穿氧化层，压力控制为800mtorr～500torr，氧气流量为200sccm～10ml，温度控制为700℃～950℃。

3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，在第二步中，采用低压化学气相淀积工艺生长氮氧化硅阻挡层，压力控制为50mtorr～500mtorr，NH₃流量为10sccm～200sccm，DCS流量为10sccm～300sccm，N₂O流量为10sccm～300sccm，温度控制为650℃～800℃。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第三步中，所述快速热氧化工艺的N₂流量为500ml～5L，反应温度为700℃～950℃，压力为1torr～760torr。

5.根据权利要求1或4所述的方法，其特征在于，第三步中，所述快速热氧化工艺对氮氧化硅阻挡层和隧穿氧化层进行高温退火，从而去除不稳定的硅氢键。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第四步中，采用低压化学气相淀积工艺生长氮化硅陷阱层，压力控制为50mtorr～500mtorr，NH₃流量为10sccm～200sccm，DCS流量为10sccm～300sccm，温度控制为600℃～900℃。

7.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，第五步中，采用化学气相淀积工艺生长高温热氧化层，压力控制为50mtorr～500mtorr，DCS流量为10sccm～500sccm，N₂O流量为10sccm～200ml，温度控制为650℃～900℃。