[发明专利]一种氮化钛/氮化铝/镍纳米多层薄膜的制备方法无效
申请号: | 201110324013.0 | 申请日: | 2011-10-24 |
公开(公告)号: | CN102337508A | 公开(公告)日: | 2012-02-01 |
发明(设计)人: | 贺春林;张金林;王建明;刘岩;马国峰;李海松;娄德元;杨雪飞;白莹莹;才庆魁 | 申请(专利权)人: | 沈阳大学 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35;C23C14/06;C23C14/18 |
代理公司: | 沈阳技联专利代理有限公司 21205 | 代理人: | 赵越 |
地址: | 110044 辽*** | 国省代码: | 辽宁;21 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 氮化 纳米 多层 薄膜 制备 方法 | ||
1.一种氮化钛/氮化铝/镍纳米多层薄膜的制备方法,其特征在于,所述一种氮化钛/氮化铝/镍纳米多层薄膜的制备方法,包括以下步骤:
a. 选钢材作为基体,基体表面经砂纸研磨并抛光后,分别用丙酮、酒精和去离子水超声波清洗,烘干后装入真空室准备镀膜;
b. 镀膜设备选用反应磁控共溅射镀膜系统,纯金属钛靶、纯金属铝靶和纯金属镍靶同时对准上方中心处的基体,沉积多层薄膜前先将真空室抽真空,然后通入高纯氩气,在基体上沉积一层金属钛层,其沉积工艺条件为:钛靶功率40~150瓦,基体负偏压0~200伏,靶材与基体的距离6~12厘米,工作气压0.2~1.0帕,基体温度为室温~600摄氏度,基体自转速度为5~30 转每分钟;
c. 通过计算机精确控制靶材上挡板的打开时间进行交替沉积TiN/AlN/Ni纳米多层薄膜,其工艺条件为:钛靶功率40~150瓦,铝靶功率100~300瓦,镍靶功率40~100瓦;基体负偏压0~200伏,氮气分压3×10-3~1.1×10-1帕,靶材与基体的距离6~12厘米,工作气压0.1~1.0帕,基体温度为室温~600摄氏度,调制比为1~10:1~3:1~3,调制周期为4~30纳米,基体自转速度为5~30转每分钟;
d. 镀膜结束后样品随炉冷却至室温即可。
2. 根据权利要求1所述的一种氮化钛/氮化铝/镍纳米多层薄膜的制备方法,其特征在于,所述的基体表面经砂纸研磨并抛光至1.0微米再分别用丙酮、酒精和去离子水超声波清洗15分钟。
3. 根据权利要求1所述的一种氮化钛/氮化铝/镍纳米多层薄膜的制备方法,其特征在于,所述的沉积多层薄膜前先将真空室抽真空至6.0×10-4帕,然后通入高纯氩气,在基体上沉积一层厚度为20~50纳米的金属钛层。
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