[发明专利]隔离腔体的制造方法无效
| 申请号： | 201110324041.2 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102408093A | 公开（公告）日： | 2012-04-11 |
| 发明（设计）人： | 张挺;张艳红;邵凯;谢志峰 | 申请（专利权）人： | 上海先进半导体制造股份有限公司 |
| 主分类号： | B81C1/00 | 分类号： | B81C1/00 |
| 代理公司： | 上海专利商标事务所有限公司 31100 | 代理人： | 陈亮 |
| 地址： | 200233 *** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 隔离 制造 方法 | ||
1.一种隔离腔体的制造方法，包括步骤：
提供硅基底(101)，其上形成有基底保护层(102)；
依次刻蚀所述基底保护层(102)和所述硅基底(101)，在所述硅基底(101)中形成多个浅槽(103)；
在所述基底保护层(102)表面和多个所述浅槽(103)的侧壁及底部淀积含有易扩散元素的扩散层(104)；
将所述扩散层(104)中的所述易扩散元素扩散至与所述扩散层(104)相接触的所述硅基底(101)中，在所述硅基底(101)中形成重掺杂扩散区(105)；
通过回刻工艺将所述基底保护层(102)表面和所述浅槽(103)底部的所述扩散层(104)去除，所述浅槽(103)侧壁保留的所述扩散层(104)作为侧壁保护层；
以所述基底保护层(102)和所述侧壁保护层为掩模，刻蚀多个所述浅槽(103)，在所述硅基底(101)中形成多个深槽(106)；
采用湿法腐蚀法腐蚀多个所述深槽(106)，在所述硅基底(101)内部形成腔体(107)；以及
在多个所述浅槽(103)的侧壁之间淀积填充材料(109)，在所述腔体(107)上方形成插塞结构，将所述腔体(107)与外界隔离。
2.根据权利要求1所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，在多个所述浅槽(103)的侧壁之间淀积填充材料(109)之前，所述方法还包括步骤：
去除多个所述浅槽(103)的侧壁上的所述侧壁保护层。
3.根据权利要求2所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述硅基底(101)是取向为(111)的硅基底。
4.根据权利要求1所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述湿法腐蚀法采用的腐蚀液为碱金属氢氧化物、EPW、TMAH、EDP或者联氨。
5.根据权利要求1或3所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，采用(111)取向的硅基底，利用各向异性腐蚀得到在所述硅基底(101)内部形成的腔体(107)是横向的。
6.根据权利要求3所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述易扩散元素包括硼元素、铟元素。
7.根据权利要求6所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述重掺杂扩散区(105)的掺杂浓度不小于1×1018cm-3。
8.根据权利要求7所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述重掺杂扩散区(105)的掺杂浓度范围为1×1020cm-3～7×1020cm-3。
9.根据权利要求7所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述重掺杂扩散区(105)在靠近所述浅槽(103)侧壁底部的区域厚度最厚。
10.根据权利要求9所述的隔离腔体的制造方法，其特征在于，所述填充材料(109)为单层或者多层。
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