[发明专利]白光LED外延芯片封装结构无效
| 申请号： | 201110324177.3 | 申请日： | 2011-10-21 |
| 公开（公告）号： | CN102332513A | 公开（公告）日： | 2012-01-25 |
| 发明（设计）人： | 何瑞科;吉爱华;马新尚;李虹;芦增辉 | 申请（专利权）人： | 西安重装渭南光电科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/02 | 分类号： | H01L33/02;H01L33/08 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 714000 *** | 国省代码： | 陕西;61 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 白光 led 外延 芯片 封装 结构 | ||
【权利要求书】：
1.白光LED外延芯片封装结构，包括白光LED外延结构、白光LED芯片结构，白光LED封装结构。其特征在于：所述白光LED外延结构包括从下至上依次设置的ZnSe衬底、N-ZnSe接触层、CdZnSe蓝光发光层和P+ZnSe接触层
所述白光LED芯片结构包括从下至上依次是N电极、ZnSe衬底、N-ZnSe接触层、CdZnSe蓝光发光层、P+ZnSe接触层、P电极。
所述白光LED封装结构包括从下至上依次是支架、银胶、芯片、金线、硅胶。
2.如权利要求1所述的白光LED外延芯片封装结构，其特征在于：所述ZnSe衬底的厚度为50～200um。
3.如权利要求1所述的白光LED外延芯片封装结构，其特征在于：所述N-ZnSe接触层的厚度为200～1000nm。
4.如权利要求1所述的白光LED外延芯片封装结构，其特征在于：所述CdZnSe蓝光发光层的厚度为1000～10000nm。
5.如权利要求1所述的白光LED外延芯片封装结构，其特征在于：所述P-ZnSe接触层的厚度为80～600nm。
6.如权利要求1所述的白光LED外延芯片封装结构，其特征在于：所述P电极的厚度为1～10um。
7.如权利要求1所述的白光LED外延芯片封装结构，其特征在于：所述金丝直径为30um。
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