[发明专利]LED芯片与硅基底的键合方法及封装方法

权利要求书

1.一种LED芯片(107)与硅基底(101)的键合方法，包括步骤：

提供硅基底(101)，在其上形成第一含金属层(103)；

提供具有芯片基底(104)的LED芯片(107)，在所述芯片基底(104)背面形成第二含金属层(106)；

在真空环境中、不高于250度的基底温度下，贴合所述第一含金属层(103)与所述第二含金属层(106)，将所述LED芯片(107)与所述硅基底(101)键合在一起。

2.根据权利要求1所述的键合方法，其特征在于，在所述硅基底(101)上形成所述第一含金属层(103)之前还包括步骤：

在所述硅基底(101)上形成第一过渡层(102)。

3.根据权利要求2所述的键合方法，其特征在于，在所述芯片基底(104)背面形成所述第二含金属层(106)之前还包括步骤：

在所述芯片基底(104)背面形成第二过渡层。

4.根据权利要求3所述的键合方法，其特征在于，所述芯片基底(104)为GaN材料、含Al₂O₃材料或者SiC材料。

5.根据权利要求4所述的键合方法，其特征在于，所述第一过渡层(102)、所述第一含金属层(103)、所述第二过渡层或者所述第二含金属层(106)为一层或者多层的结构。

6.根据权利要求5所述的键合方法，其特征在于，所述第一含金属层(103)和所述第二含金属层(106)为含Cu材料、纯Cu材料或者含锗材料。

7.根据权利要求6所述的键合方法，其特征在于，所述第一含金属层(103)和所述第二含金属层(106)的材料为相同或者不相同。

8.根据权利要求7所述的键合方法，其特征在于，在将所述LED芯片(107)与所述硅基底(101)键合之前还包括步骤：

采用等离子体对所述第一含金属层(103)与所述第二含金属层(106)进行活化处理。

9.根据权利要求8所述的键合方法，其特征在于，在贴合所述第一含金属层(103)与所述第二含金属层(106)时，需要在垂直于所述LED芯片(107)的方向上施加压力。

10.根据权利要求3所述的键合方法，其特征在于，在所述芯片基底(104)背面形成第二过渡层之前还包括步骤：

在所述芯片基底(104)正面形成LED发光层(105)。

11.一种LED芯片(213)与硅基底(201)的封装方法，包括步骤：

提供硅基底(201)，其上方形成有外围电路(202)；

在所述硅基底(201)表面淀积绝缘层(203)并进行平坦化工艺；

在所述绝缘层(203)上淀积第一含金属层(205)；

在所述硅基底(201)上方作图形化至露出所述绝缘层(203)，形成所述外围电路(202)的引线阵列(206)、引线块阵列(207)和键合区(208)；

提供具有芯片基底(209)的LED芯片(213)，在所述芯片基底(209)背面形成第二含金属层(212)；

在真空环境中、不高于250度的基底温度下，在所述键合区(208)贴合所述第一含金属层(205)与所述第二含金属层(212)，将所述LED芯片(213)与所述硅基底(201)键合在一起；

进行后续的其余封装过程，将所述LED芯片(213)与所述外围电路(202)连接，并对所述外围电路(202)进行封装。

12.根据权利要求11所述的封装方法，其特征在于，在所述绝缘层(203)上淀积所述第一含金属层(205)之前还包括步骤：

在所述绝缘层(203)上形成第一过渡层(204)。

13.根据权利要求12所述的封装方法，其特征在于，在所述芯片基底(209)背面形成所述第二含金属层(212)之前还包括步骤：

在所述芯片基底(209)背面形成第二过渡层(211)。

14.根据权利要求13所述的封装方法，其特征在于，所述芯片基底(209)为GaN材料、含Al₂O₃材料或者SiC材料。