[发明专利]解封集成电路封装体的方法无效
| 申请号： | 201110324362.2 | 申请日： | 2011-10-20 |
| 公开（公告）号： | CN102779727A | 公开（公告）日： | 2012-11-14 |
| 发明（设计）人： | 谢明灯;陈逸男;刘献文 | 申请（专利权）人： | 南亚科技股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/02 | 分类号： | H01L21/02;H01L21/311 |
| 代理公司： | 深圳新创友知识产权代理有限公司 44223 | 代理人： | 江耀纯 |
| 地址： | 中国台*** | 国省代码： | 中国台湾;71 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 解封 集成电路 封装 方法 | ||
1.一种解封集成电路封装体的方法，其特征在于，包含：
提供包含一组电路与包围所述电路的封装材料的集成电路封装体；以及
以腐蚀溶液间歇地接触所述封装材料的预定区域，以刻蚀所述封装材料，藉此从所述预定区域移除所述封装材料并暴露所述电路。
2.如权利要求1所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，所述封装材料包含环氧树脂。
3.如权利要求1所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，所述的腐蚀溶液包含酸。
4.如权利要求1所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，加热所述的酸以增高温度。
5.如权利要求3所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，所述的酸包含硝酸。
6.如权利要求3所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，所述的酸包含硫酸。
7.如权利要求1所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，所述的电路包含铝/金合金。
8.如权利要求1所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，在无刻蚀掩膜的存在下移除所述封装材料。
9.如权利要求1所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，在一监视器存在下移除所述封装材料。
10.如权利要求1所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，使用滴管以提供所述腐蚀溶液。
11.如权利要求10所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，所述滴管包含橡皮头以间歇地提供所述腐蚀溶液。
12.如权利要求1所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，所述集成电路封装体置放在一个可调整位置的操作台上。
13.如权利要求1所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，移除所述封装材料，使得所述集成电路封装体被部份地解封。
14.如权利要求1所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，更包含使用一清洁溶液润洗所述集成电路封装体。
15.如权利要求14所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，更包含在移除所述封装材料前润洗所述集成电路封装体。
16.如权利要求14所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，更包含在移除所述封装材料后润洗所述集成电路封装体。
17.如权利要求14所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，所述清洁溶液包含去离子水。
18.如权利要求14所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，所述清洁溶液包含丙酮。
19.如权利要求1所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，更包含处理所述电路。
20.如权利要求19所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，處理所述電路包含一電路編寫。
21.如权利要求20所述的解封集成电路封装体的方法，其特征在于，使用聚焦离子束以进行所述的电路编写。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
