[发明专利]铁铂纳米团簇磁记录媒体有效
| 申请号： | 201110324437.7 | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103065646A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 徐永兵;杨阳 | 申请（专利权）人： | 南通海纳电子纳米科技有限公司 |
| 主分类号： | G11B5/62 | 分类号： | G11B5/62;G11B5/851 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 226009 江*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 纳米 团簇磁 记录 媒体 | ||
【权利要求书】：
1.一种铁铂纳米点阵磁数据存储媒体，其特征在于：通过把纳米孔阳极氧化铝模版（以下简称模版）的纳米结构传印到铁铂薄膜，进而加工出高密度的铁铂纳米点阵磁存储媒体。
2.根据权利要求1中所述的传印，其特征在于结合模版的纳米压印光刻来完成。
3.根据权利要求1中所述的铁铂薄膜，其特征在于通过磁控溅射后经高温退火形成具备高磁晶各项异性L10相的铁铂薄膜。
4.根据权利要求1中所述的铁铂纳米点阵磁存储媒体，其特征在于结合模板的纳米压印刻蚀加工而成。
5.根据权利要求1中所述的铁铂纳米点阵磁存储媒体，根据氧化铝模版孔径大小，其存储密度在500Gb/in2 到5Tb(1012)/in2之间。
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