[发明专利]一种制作芯片压焊块的方法及芯片有效
| 申请号： | 201110325425.6 | 申请日： | 2011-10-24 |
| 公开（公告）号： | CN103065974A | 公开（公告）日： | 2013-04-24 |
| 发明（设计）人： | 马万里;赵文魁 | 申请（专利权）人： | 北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/48 | 分类号： | H01L21/48;H01L23/488 |
| 代理公司： | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人： | 郭润湘 |
| 地址： | 100871 北京市*** | 国省代码： | 北京;11 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 制作 芯片 压焊块 方法 | ||
1.一种制作芯片压焊块的方法，其特征在于，包括：
在芯片的硅衬底上沉积第一金属层；
对所述第一金属层进行光刻及蚀刻，蚀刻掉除覆盖在压焊块区域的第一区域金属层之外的所有金属层；
在所述硅衬底上沉积第二金属层，所述第二金属层覆盖所述第一金属层；并对所述第二金属层中覆盖在所述压焊块区域的第二区域金属层之外的其他区域进行光刻及蚀刻，以完成芯片电路布线蚀刻；
在进行光刻和蚀刻之后的第二金属层上生成钝化层；
对所述钝化层进行光刻和蚀刻，蚀刻掉覆盖在所述压焊块区域的钝化层。
2.如权利要求1所述的方法，其特征在于，蚀刻掉第一区域金属层之外的所有金属层，包括：
采用湿法腐蚀掉除所述第一区域金属层之外的所有金属层。
3.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第二区域金属层完全覆盖所述第一区域金属层。
4.如权利要求1～3任一项所述的方法，其特征在于，所述第一金属层与所述第二金属层均为铝层，所述铝层包含比重为99.5％的铝和0.5％的铜。
5.如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述第一金属层与第二金属层的厚度的和值大于打线深度，所述打线深度为采用金属线对所述芯片进行打线过程中所述金属线在所述压焊块区域所形成的凹槽的深度。
6.如权利要求5所述的方法，其特征在于，所述金属线为铜线。
7.一种芯片，包括设置有压焊块的硅衬底，其特征在于，
所述硅衬底上的压焊块区域覆盖有第一金属层；
所述硅衬底与所述第一金属层上覆盖有第二金属层。
8.如权利要求7所述的芯片，其特征在于，所述第一层金属层与所述第二金属层均为铝层，所述铝层包含比重为99.5％的铝和0.5％的铜。
9.如权利要求7或8所述的芯片，其特征在于，所述第一金属层的厚度与所述第二金属层的厚度的和值大于打线深度，所述打线深度为在对所述芯片进行打线过程中金属线在所述压焊块区域所形成的凹槽的深度。
10.如权利要求9所述的芯片，其特征在于，所述金属线为铜线。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司，未经北大方正集团有限公司;深圳方正微电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110325425.6/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
