[发明专利]场发射电子源

权利要求书

1.一种场发射电子源，其包括一导电基体，其特征在于，该场发射电子源进一步包括一碳纳米管针尖，该碳纳米管针尖为一碳纳米管束状结构，该碳纳米管束状结构包括多个沿碳纳米管针尖轴向定向延伸且首尾相连的碳纳米管，该碳纳米管针尖包括一第一端以及与第一端相对的第二端，该碳纳米管针尖的第一端与该导电基体电连接，该碳纳米管针尖的第二端的顶部包括一根突出的碳纳米管。

2.如权利要求1所述的场发射电子源，其特征在于，所述碳纳米管针尖的长度为0.01毫米-1毫米，直径为1微米-20微米。

3.如权利要求1所述的场发射电子源，其特征在于，所述碳纳米管针尖中的多个碳纳米管之间通过范德华力连接。

4.如权利要求1所述的场发射电子源，其特征在于，所述首尾相连的碳纳米管为单壁碳纳米管、双壁碳纳米管、多壁碳纳米管或其任意组合的混合物。

5.如权利要求4所述的场发射电子源，其特征在于，所述单壁碳纳米管的直径为0.5纳米-50纳米，双壁碳纳米管的直径为1纳米-50纳米，多壁碳纳米管的直径为1.5纳米-50纳米，所述首尾相连的碳纳米管的长度均为10微米-5000微米。

6.如权利要求1所述的场发射电子源，其特征在于，所述碳纳米管针尖的第二端的直径沿远离第一端的方向逐渐减小。

7.如权利要求1所述的场发射电子源，其特征在于，所述碳纳米管针尖的第二端顶部的突出的碳纳米管的长度为10微米-1000微米，其直径小于5纳米。

8.如权利要求1所述的场发射电子源，其特征在于，该碳纳米管针尖的第一端通过分子间力与所述导电基体电连接。

9.如权利要求1所述的场发射电子源，其特征在于，该碳纳米管针尖的第一端通过导电胶与所述导电基体电连接。