[发明专利]发光二极管的驱动集成电路及其设定多阶电流的方法

权利要求书

1.一种具有多阶电流设定功能的发光二极管的驱动集成电路，用以驱动至少一串发光二极管，包含：

调节器电路，用以提供供电电源至该至少一串发光二极管的第一端，以驱动该至少一串发光二极管，并稳定该至少一串发光二极管的第二端电压于目标电压；

该驱动集成电路的特征在于还包括：

可变电阻电路，用以根据切换信号，以多个步阶方式步阶改变该可变电阻电路的阻值；及

电流产生单元，耦接于该可变电阻电路，用以根据参考电压与该可变电阻电路的阻值的变化，以多个步阶的方式步阶改变流经该至少一串发光二极管的电流。

2.如权利要求1所述的驱动集成电路，其特征在于，该可变电阻电路包含：

至少三并联电阻，耦接于该电流产生单元；及

至少一延迟单元，用以根据该切换信号，延迟关闭串联该至少三并联电阻中的至少一并联电阻的晶体管，以改变该可变电阻电路的阻值。

3.如权利要求2所述的驱动集成电路，其特征在于，每一延迟单元包含：

电阻；及

电容，耦接于该电阻的一端，其特征在于，该延迟单元是根据该电阻与该电容的电阻电容时间常数，延迟关闭串联该至少三并联电阻中的相对应的并联电阻的晶体管。

4.如权利要求2所述的驱动集成电路，其特征在于，每一延迟单元包含：

第一反相器；及

第二反相器，串联该第一反相器，其特征在于，该延迟单元是根据该切换信号通过该第一反相器与该第二反相器的时间，延迟关闭串联该至少三并联电阻中的相对应的并联电阻的晶体管。

5.如权利要求2所述的驱动集成电路，其特征在于，该晶体管是为N型金属氧化物半导体晶体管。

6.如权利要求2所述的驱动集成电路，其特征在于，该晶体管是为P型金属氧化物半导体晶体管。

7.如权利要求1所述的驱动集成电路，其特征在于，该可变电阻电路包含：

至少三串联电阻，耦接于该电流产生单元；及

至少一延迟单元，用以根据该切换信号，延迟关闭并联该至少三串联电阻中的至少一串联电阻的晶体管，以改变该可变电阻电路的阻值。

8.如权利要求7所述的驱动集成电路，其特征在于，每一延迟单元包含：

电阻；及

电容，耦接于该电阻的一端，其特征在于，该电阻与该电容是根据电阻电容时间常数，延迟关闭并联该至少三串联电阻中的相对应的串联电阻的晶体管。

9.如权利要求7所述的驱动集成电路，其特征在于，每一延迟单元包含：

第一反相器；及

第二反相器，串联该第一反相器，其特征在于，该第一反相器与该第二反相器是根据该切换信号通过该第一反相器与该第二反相器的时间，延迟关闭并联该至少三串联电阻中的相对应的串联电阻的晶体管。

10.如权利要求7所述的驱动集成电路，其特征在于，该晶体管是为N型金属氧化物半导体晶体管。

11.如权利要求7所述的驱动集成电路，其特征在于，该晶体管是为P型金属氧化物半导体晶体管。

12.一种具有多阶电流设定功能的发光二极管的驱动集成电路，用以驱动至少一串发光二极管，包含：

调节器电路，用以提供供电电源至该至少一串发光二极管的第一端，以驱动该至少一串发光二极管，并稳定该至少一串发光二极管的第二

端电压于目标电压；及

该驱动集成电路的特征在于还包括：

电流产生单元，用以根据步阶参考电压与电阻，改变流经该至少一串发光二极管的电流。

13.如权利要求12所述的驱动集成电路，其特征在于，该步阶参考电压是由高电压步阶降至低电压。

14.一种发光二极管的驱动集成电路设定多阶电流的方法，包含：

提供供电电源至至少一串发光二极管的第一端，以驱动该至少一串发光二极管，并稳定该至少一串发光二极管的第二端电压于目标电压；

该方法的特征在于还包括：

根据切换信号，以多个步阶的方式步阶改变可变电阻电路的阻值；及

根据参考电压与该可变电阻电路的阻值的变化，以多个步阶的方式步阶改变流经该至少一串发光二极管的电流。