[发明专利]一种高功率因数单相降压整流稳压电路及控制方法无效
申请号: | 201110326036.5 | 申请日: | 2011-10-24 |
公开(公告)号: | CN102332837A | 公开(公告)日: | 2012-01-25 |
发明(设计)人: | 赵航飞;阳东礼;王凤吾 | 申请(专利权)人: | 长沙广义变流技术有限公司 |
主分类号: | H02M7/06 | 分类号: | H02M7/06;H02M3/155 |
代理公司: | 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 | 代理人: | 王翀 |
地址: | 410000 湖南省长沙*** | 国省代码: | 湖南;43 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 功率因数 单相 降压 整流 稳压 电路 控制 方法 | ||
1.一种高功率因数单相降压整流稳压电路,其特征在于,包括:由四个二极管(VD1~VD4)整流桥构成的整流电路、续流二极管(VD5)、开关(K1)、滤波电感(L1)和滤波电容(C1);所述续流二极管(VD5)及滤波电容(C1)分别并联在整流电路的正、负线上;所述开关(K1)及滤波电感(L1)分布在整流电路的正线或负线上。
2.如权利要求1所述的高功率因数单相降压整流稳压电路,其特征在于,所述第一二极管(VD1)与第三二极管(VD3)串联,所述第二二极管(VD2)与第四二极管(VD4)串联后与第一二极管(VD1)及第三二极管(VD3)串联支路相并联,所述开关(K1)与滤波电感(L1)串联后连接在整流电路的负线上。
3.如权利要求1所述的高功率因数单相降压整流稳压电路,其特征在于,所述第一二极管(VD1)与第三二极管(VD3)串联,所述第二二极管(VD2)与第四二极管(VD4)串联后与第一二极管(VD1)及第三二极管(VD3)串联支路相并联,所述开关(K1)与滤波电感(L1)串联后连接在整流电路的正线上。
4.如权利要求1所述的高功率因数单相降压整流稳压电路,其特征在于,所述第一二极管(VD1)与第三二极管(VD3)串联,所述第二二极管(VD2)与第四二极管(VD4)串联后与第一二极管(VD1)及第三二极管(VD3)串联支路相并联,所述开关(K1)连接在整流电路的负线上,所述滤波电感(L1)连接在整流电路的正线上。
5.如权利要求1所述的高功率因数单相降压整流稳压电路,其特征在于,所述第一二极管(VD1)与第三二极管(VD3)串联,所述第二二极管(VD2)与第四二极管(VD4)串联后与第一二极管(VD1)及第三二极管(VD3)串联支路相并联,所述开关(K1)连接在整流电路的正线上,所述滤波电感(L1)连接在整流电路的负线上。
6.一种高功率因数单相降压整流稳压电路控制方法,其特征在于,该电路包括:由四个二极管构成的单相全桥整流电路、续流二极管、开关、滤波电感和滤波电容;续流二极管及滤波电容分别并联在整流电路的正、负线上;开关及滤波电感分布在整流电路的正线或负线上;当输入电压及负载变化时,通过调整开关的开断时间间隔,实现输出直流电压的调节。
7.如权利要求6所述的高功率因数单相降压整流稳压电路控制方法,其特征在于,所述开关为半导体开关。
8.如权利要求7所述的高功率因数单相降压整流稳压电路控制方法,其特征在于,所述半导体开关为IGBT开关管。
9.如权利要求6所述的高功率因数单相降压整流稳压电路控制方法,其特征在于,开关的开断在每半个周期内具体为:开关在时刻t2开通,在时刻t4关断;时刻t3对应与输入单相交流电压基波的峰值电压时刻,t1和t5分别对应于输入单相交流电压基波的过零点时刻,t1<t2<t3<t4<t5,且t2和t4分布于t3两侧。在输入单相交流电压基波的每半个周波的控制方法都是一样的。
10.如权利要求9所述的高功率因数单相降压整流稳压电路控制方法,其特征在于,t2和t4对称分布于t3两侧。
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