[发明专利]一种高功率因数单相降压整流稳压电路及控制方法无效

专利信息
申请号: 201110326036.5 申请日: 2011-10-24
公开(公告)号: CN102332837A 公开(公告)日: 2012-01-25
发明(设计)人: 赵航飞;阳东礼;王凤吾 申请(专利权)人: 长沙广义变流技术有限公司
主分类号: H02M7/06 分类号: H02M7/06;H02M3/155
代理公司: 深圳市兴科达知识产权代理有限公司 44260 代理人: 王翀
地址: 410000 湖南省长沙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要:
搜索关键词: 一种 功率因数 单相 降压 整流 稳压 电路 控制 方法
【权利要求书】:

1.一种高功率因数单相降压整流稳压电路,其特征在于,包括:由四个二极管(VD1~VD4)整流桥构成的整流电路、续流二极管(VD5)、开关(K1)、滤波电感(L1)和滤波电容(C1);所述续流二极管(VD5)及滤波电容(C1)分别并联在整流电路的正、负线上;所述开关(K1)及滤波电感(L1)分布在整流电路的正线或负线上。

2.如权利要求1所述的高功率因数单相降压整流稳压电路,其特征在于,所述第一二极管(VD1)与第三二极管(VD3)串联,所述第二二极管(VD2)与第四二极管(VD4)串联后与第一二极管(VD1)及第三二极管(VD3)串联支路相并联,所述开关(K1)与滤波电感(L1)串联后连接在整流电路的负线上。

3.如权利要求1所述的高功率因数单相降压整流稳压电路,其特征在于,所述第一二极管(VD1)与第三二极管(VD3)串联,所述第二二极管(VD2)与第四二极管(VD4)串联后与第一二极管(VD1)及第三二极管(VD3)串联支路相并联,所述开关(K1)与滤波电感(L1)串联后连接在整流电路的正线上。

4.如权利要求1所述的高功率因数单相降压整流稳压电路,其特征在于,所述第一二极管(VD1)与第三二极管(VD3)串联,所述第二二极管(VD2)与第四二极管(VD4)串联后与第一二极管(VD1)及第三二极管(VD3)串联支路相并联,所述开关(K1)连接在整流电路的负线上,所述滤波电感(L1)连接在整流电路的正线上。

5.如权利要求1所述的高功率因数单相降压整流稳压电路,其特征在于,所述第一二极管(VD1)与第三二极管(VD3)串联,所述第二二极管(VD2)与第四二极管(VD4)串联后与第一二极管(VD1)及第三二极管(VD3)串联支路相并联,所述开关(K1)连接在整流电路的正线上,所述滤波电感(L1)连接在整流电路的负线上。

6.一种高功率因数单相降压整流稳压电路控制方法,其特征在于,该电路包括:由四个二极管构成的单相全桥整流电路、续流二极管、开关、滤波电感和滤波电容;续流二极管及滤波电容分别并联在整流电路的正、负线上;开关及滤波电感分布在整流电路的正线或负线上;当输入电压及负载变化时,通过调整开关的开断时间间隔,实现输出直流电压的调节。

7.如权利要求6所述的高功率因数单相降压整流稳压电路控制方法,其特征在于,所述开关为半导体开关。

8.如权利要求7所述的高功率因数单相降压整流稳压电路控制方法,其特征在于,所述半导体开关为IGBT开关管。

9.如权利要求6所述的高功率因数单相降压整流稳压电路控制方法,其特征在于,开关的开断在每半个周期内具体为:开关在时刻t2开通,在时刻t4关断;时刻t3对应与输入单相交流电压基波的峰值电压时刻,t1和t5分别对应于输入单相交流电压基波的过零点时刻,t1<t2<t3<t4<t5,且t2和t4分布于t3两侧。在输入单相交流电压基波的每半个周波的控制方法都是一样的。

10.如权利要求9所述的高功率因数单相降压整流稳压电路控制方法,其特征在于,t2和t4对称分布于t3两侧。

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