[发明专利]显示装置有效
| 申请号： | 201110326236.0 | 申请日： | 2008-08-27 |
| 公开（公告）号： | CN102354700A | 公开（公告）日： | 2012-02-15 |
| 发明（设计）人： | 福田俊广 | 申请（专利权）人： | 索尼公司 |
| 主分类号： | H01L27/32 | 分类号： | H01L27/32;H01L51/52 |
| 代理公司： | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人： | 周少杰 |
| 地址： | 日本*** | 国省代码： | 日本;JP |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 显示装置 | ||
1.一种显示装置，其中多个像素总体上以矩阵状态排列，所述显示装置包括：
一对基底；
在对应于该对基底的一个基底上的每个像素的区域中形成的自发光型发光设备；以及
在对应于该对基底的另一基底上的每个像素之间的部分的区域中形成的黑矩阵层，并且
满足以下公式(42)到公式(44)：
2√3＞(|WBM-WLD|/D)(42)
WLD＜WBM (43)
(√3/2)*WBM≥D≥(1/2√3)*(WBM-WLD)(44)
其中WBM代表所述黑矩阵层的孔径尺寸；WLD代表所述发光设备的发光区域尺寸；并且D代表所述发光设备和黑矩阵层之间的空气长度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中在每个像素中，在水平方向上的所述黑矩阵层的孔径尺寸WBM和所述发光设备的发光区域尺寸WLD分别比在垂直方向上的所述黑矩阵层的孔径尺寸WBM和所述发光设备的发光区域尺旷WLD长。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其中所述发光设备是有机EL设备，并且所述显示装置配置为有机EL显示装置。
4.一种显示装置，其中多个像素总体上以矩阵状态排列，所述显示装置包括：
一对基底；
在对应于该对基底的一个基底上的每个像素的区域中形成的自发光型发光设备；以及
在对应于该对基底的另一基底上的每个像素之间的部分的区域中形成的黑矩阵层，并且
满足以下公式(45)到公式(47)：
2√3＞(|WBM-WLD|/D)(45)
WLD≥WBM (46)
(√3/2)*WLD≥D≥(1/2√3)*(WLD-WBM)(47)
其中WBM代表所述黑矩阵层的孔径尺寸；WLD代表所述发光设备的发光区域尺寸；并且D代表所述发光设备和黑矩阵层之间的空气长度。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中在每个像素中，在水平方向上的所述黑矩阵层的孔径尺寸WBM和所述发光设备的发光区域尺寸WLD分别比在垂直方向上的所述黑矩阵层的孔径尺寸WBM和所述发光设备的发光区域尺旷WLD长。
6.根据权利要求4所述的显示装置，其中所述发光设备是有机EL设备，并且所述显示装置配置为有机EL显示装置。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的；包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的；包括有热磁组件的
