[发明专利]一种单相半桥三电平逆变器无效
申请号: | 201110326582.9 | 申请日: | 2011-10-24 |
公开(公告)号: | CN102427306A | 公开(公告)日: | 2012-04-25 |
发明(设计)人: | 汪洪亮;傅立秦;倪华;余鸿;张婧;王航;姚丹;邵章平 | 申请(专利权)人: | 阳光电源股份有限公司 |
主分类号: | H02M7/483 | 分类号: | H02M7/483;H02M7/537 |
代理公司: | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人: | 赵景平;逯长明 |
地址: | 230088 *** | 国省代码: | 安徽;34 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 单相 半桥三 电平 逆变器 | ||
技术领域
本发明涉及电压转换技术领域,具体涉及一种单相半桥三电平逆变器。
背景技术
逆变器是指通过半导体功率开关器件的开通和关断作用,将直流电能转换为交流电能的一种变换器。近年来,三电平逆变器由于具有输出容量大、输出电压高、电流谐波含量小等优点,在高压大功率交流电机变频调速领域得到了广泛的应用。
现有的单相半桥三电平逆变器拓扑结构主要有两类,分别是:“1”字型拓扑结构和“T”字型拓扑结构。
如图1所示,是现有技术中“1”字型拓扑结构的示意图。
在该单相半桥逆变器中,通过在直流正负母线电压之间串联两个容抗相等的电容(即图1中的电容C1和电容C2)来获得三个电平:正母线电平、两电容串联接点电平、负母线电平。单相半桥逆变器交流输出的一个接线端子从上述两串联电容的接点n引出,另一个交流输出端子从图中a点引出。
该单相半桥逆变器的工作过程如下:
当半导体开关管T1、T2导通,半导体开关管T3、T4、二极管D3、D4、D5、D6截止时,输出节点a的电平等于正母线电平。输出侧电流从a点流出到电感L1时,二极管D1、D2截止,电流回路为T1-T2-L1-VG-L2-C1-T1;输出侧电流从L1流进a点时,二极管D1、D2导通,电流回路为D2-D1-C1-L2-VG-L1-D2。
当半导体开关管T2、T3导通,半导体开关管T1、T4、二极管D1、D2、D3、D4截止时,输出节点a的电平等于两电容串联接点电平。输出侧电流从a点流出到L1时,二极管D5导通,二极管D6截止,电流回路为D5-T2-L1-VG-L2-D5;输出侧电流从L1流进a点时,二极管D6导通,二极管D5截止,电流回路为T3-D6-L2-VG-L1-T3。
当半导体开关管T3、T4导通,半导体开关管T1、T2、二极管D1、D2、D5、D6截止时,输出节点a的电平等于负母线电平。输出侧电流从a点流出到L1时,二极管D3、D4导通,电流回路为D4-D3-L1-VG-L2-C2-D4;输出侧电流从L1流进a点时,二极管D3、D4截止,电流回路为T3-T4-C2-L2-VG-L1-T3。
由上述工作过程可知,“1”字型三电平逆变器的四组半导体开关管(T1和D1,T2和D2,T3和D3,T4和D4)承受的最大电压为直流总输入电压的一半,因此,可以选择额定电压较小的半导体开关管进而减小其开关损耗。但在该拓扑中,需要两个箝位二极管D5、D6,增加了器件个数和其损耗,同时还增加了半导体开关管T2、T3的通态损耗。
如图2所示,是现有技术中“T”字型拓扑结构的示意图。
在该单相半桥逆变器中,通过在直流正负母线电压之间串联两个容抗相等的电容(即图2中的电容C1和电容C2)来获得三个电平:正母线电平,两电容串联接点电平,负母线电平,单相半桥逆变器交流输出的一个接线端子从上述两串联电容的接点n引出,另一个交流输出端子从图中a点引出。
该单相半桥逆变器的工作过程如下:
当半导体开关管T1、T2导通,半导体开关管T3、T4、D2、D3、D4截止时,输出节点a的电平等于正母线电平。输出侧电流从a点流出到电感L1时,二极管D1截止,电流回路为T1-L1-VG-L2-C1-T1;输出侧电流从电感L1流进a点时,二极管D1导通,电流回路为D1-C1-L2-VG-L1-D1。
当半导体开关管T2、T3导通,半导体开关管T1、T4、D1、D4截止时,输出节点a的电平等于两电容串联接点电平。输出侧电流从a点流出到电感L1时,二极管D3导通,二极管D2截止,电流回路为T2-D3--L1-VG-L2-T2;输出侧电流从电感L1流进a点时,二极管D2导通,二极管D3截止,电流回路为T3-D2-L2-VG-L1-T3。
当半导体开关管T3、T4导通,半导体开关管T1、T2、D1、D2、D3截止时,输出节点a的电平等于负母线电平。输出侧电流从a点流出到电感L1时,二极管D4导通,电流回路为D4-L1-VG-L2-C2-D4;输出侧电流从电感L1流进a点时,二极管D4截止,电流回路为T4-C2-L2-VG-L1-T4。
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