[发明专利]一种三相四线制三电平逆变器有效

专利信息
申请号: 201110326742.X 申请日: 2011-10-24
公开(公告)号: CN102427307A 公开(公告)日: 2012-04-25
发明(设计)人: 汪洪亮;姚丹;宋炀 申请(专利权)人: 阳光电源股份有限公司
主分类号: H02M7/483 分类号: H02M7/483;H02M7/537
代理公司: 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 代理人: 赵景平;逯长明
地址: 230088 *** 国省代码: 安徽;34
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摘要:
搜索关键词: 一种 三相 四线制三 电平 逆变器
【说明书】:

技术领域

发明涉及电压转换技术领域,具体涉及一种三相四线制三电平逆变器。

背景技术

逆变器是指通过半导体功率开关器件的开通和关断作用,将直流电能转换为交流电能的一种变换器。近年来,三电平逆变器由于具有输出容量大、输出电压高、电流谐波含量小等优点,在高压大功率交流电机变频调速领域得到了广泛的应用。

由于受到功率器件容量、零线电流、电网负载平衡要求和用电负载的性质(如三相交流异步电动机等)的限制,单相逆变器容量一般较低,大容量的逆变器多采用三相形式。

现有的三相三电平逆变器拓扑的每一相拓扑单元主要有两类,分别是:1字型拓扑结构和T字型拓扑结构。

如图1所示,是现有技术中1字型拓扑结构的示意图。

在该1字型拓扑结构中,通过在直流正负母线电压之间串联两个容抗相等的电容(即图1中的电容C1和电容C2)来获得三个电平:正母线电平、两电容串联接点电平、负母线电平。单相半桥逆变器交流输出的一个接线端子从上述两串联电容的接点n引出,另一个交流输出端子从图中a点引出。

每相拓扑单元的工作过程如下:

当半导体开关管T1、T2导通,半导体开关管T3、T4、二极管D3、D4、D5、D6截止时,输出节点a的电平等于正母线电平。输出侧电流从a点流出到电感L1时,二极管D1、D2截止,电流回路为T1-T2-L1-VG-L2-C1-T1;输出侧电流从L1流进a点时,二极管D1、D2导通,电流回路为D2-D1-C1-L2-VG-L1-D2。

当半导体开关管T2、T3导通,半导体开关管T1、T4、二极管D1、D2、D3、D4截止时,输出节点a的电平等于两电容串联接点电平。输出侧电流从a点流出到L1时,二极管D5导通,二极管D6截止,电流回路为D5-T2-L1-VG-L2-D5;输出侧电流从L1流进a点时,二极管D6导通,二极管D5截止,电流回路为T3-D6-L2-VG-L1-T3。

当半导体开关管T3、T4导通,半导体开关管T1、T2、二极管D1、D2、D5、D6截止时,输出节点a的电平等于负母线电平。输出侧电流从a点流出到L1时,二极管D3、D4导通,电流回路为D4-D3-L1-VG-L2-C2-D4;输出侧电流从L1流进a点时,二极管D3、D4截止,电流回路为T3-T4-C2-L2-VG-L1-T3。

由上述工作过程可知,1字型三电平逆变器的四组半导体开关管(T1和D1,T2和D2,T3和D3,T4和D4)承受的最大电压为直流总输入电压的一半,因此,可以选择额定电压较小的半导体开关管进而减小其开关损耗。但在该拓扑中,需要两个箝位二极管D5、D6,增加了器件个数和其损耗,同时还增加了半导体开关管T2、T3的通态损耗。

如图2所示,是现有技术中T字型拓扑结构的示意图。

在该T字型拓扑结构中,通过在直流正负母线电压之间串联两个容抗相等的电容(即图2中的电容C1和电容C2)来获得三个电平:正母线电平,两电容串联接点电平,负母线电平,单相半桥逆变器交流输出的一个接线端子从上述两串联电容的接点n引出,另一个交流输出端子从图中a点引出。

每相拓扑单元的工作过程如下:

当半导体开关管T1、T2导通,半导体开关管T3、T4、D2、D3、D4截止时,输出节点a的电平等于正母线电平。输出侧电流从a点流出到电感L1时,二极管D1截止,电流回路为T1-L1-VG-L2-C1-T1;输出侧电流从电感L1流进a点时,二极管D1导通,电流回路为D1-C1-L2-VG-L1-D1。

当半导体开关管T2、T3导通,半导体开关管T1、T4、D1、D4截止时,输出节点a的电平等于两电容串联接点电平。输出侧电流从a点流出到电感L1时,二极管D3导通,二极管D2截止,电流回路为T2-D3-L1-VG-L2-T2;输出侧电流从电感L1流进a点时,二极管D2导通,二极管D3截止,电流回路为T3-D2-L2-VG-L1-T3。

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