[发明专利]半导体ESD器件和方法

权利要求书

1.一种半导体器件，包括：

布置在半导体主体内的ESD器件区段；

布置在第二导电类型的第二器件区段上的第一导电类型的第一器件区段，第二导电类型与第一导电类型相反，其中第一器件区段耦合到第一ESD节点，并且其中第二器件区段被布置在ESD区段内；

布置在第二器件区段上的第二导电类型的第三器件区段；

与第二器件区段相邻的第一导电类型的第四器件区段，第四器件区段被布置在ESD区段内；

布置在第四器件区段内的第二导电类型的第五器件区段，其中第一器件区段、第二器件区段、第四器件区段和第五器件区段形成硅控整流器（SCR），其中第五器件区段耦合到第二ESD节点；以及

与第四器件区段相邻的第二导电类型的第六器件区段，其中第四器件区段与第六器件区段之间的界面形成二极管结。

2.权利要求1的半导体器件，其中所述二极管结的偏置电压调制SCR的触发电流。

3.权利要求1的半导体器件，其中二极管结的耗尽区段调制SCR的触发电流。

4.权利要求1的半导体器件，其中

第一导电类型是p型，并且第二导电类型是n型；

第一器件区段包括SCR的阳极；并且

第五器件区段包括SCR的阴极。

5.权利要求4的半导体器件，其中第二器件区段包括n势阱。

6.权利要求1的半导体器件，其中：

第六器件区段耦合到第二ESD节点；并且

SCR器件被配置成通过第六器件区段触发。

7.权利要求1的半导体器件，其中第六器件区段耦合到第一ESD节点。

8.权利要求1的半导体器件，还包括：

RC电路，该RC电路包括耦合到电容器的第一电阻器；以及

第二晶体管，该第二晶体管包括：

    耦合到RC电路的控制节点，以及

    耦合到第六器件区段的第一输出节点。

9.权利要求8的半导体器件，其中第二晶体管包括MOSFET。

10.权利要求1的半导体器件，还包括：

RC电路，该RC电路包括耦合到电容器的第一电阻器；

第一晶体管，该第一晶体管包括：

    耦合到RC电路的控制节点；以及

    耦合到第三器件区段的第一输出节点。

11.权利要求10的半导体器件，还包括第二晶体管，该第二晶体管包括：

耦合到RC电路的控制节点；以及

耦合到第六器件区段的第一输出节点。

12.权利要求11的半导体器件，其中：

第二晶体管的第一输出节点通过第二电阻器耦合到第六器件区段；并且

第二晶体管的第一输出节点还通过第三电阻器耦合到第二ESD节点。

13.权利要求12的半导体器件，其中第一晶体管和第二晶体管包括MOSFET。

14.权利要求1的半导体器件，还包括与第一器件区段和第一ESD节点串联耦合的至少一个二极管。

15.权利要求1的半导体器件，还包括耦合到半导体主体的衬底接触件，其中衬底接触件被配置成耦合到地电势。