[发明专利]一种窄脉冲电压放大器

权利要求书

1. 一种窄脉冲电压放大器，其特征在于：其包括：

电流放大器，其用于放大输入窄脉冲信号的脉冲幅度；

电压缓冲器，其用于调整或提高整个放大器回路中的驱动电流能力并输出信号；所述的电压缓冲器的输入端连接至所述的电流放大器的输出端；

反馈电路，其用于稳定并控制整个放大器回路的增益；所述的反馈电路的输入端连接至所述的电流放大器的输出端，其输出端连接至所述的电流放大器的输入端。

2. 根据权利要求1所述的一种窄脉冲电压放大器，其特征在于：所述的窄脉冲电压放大器还包括偏置电路，其用于为放大器回路中的负载提供偏置电压。

3. 根据权利要求2所述的一种窄脉冲电压放大器，其特征在于：所述的偏置电路包括偏置电阻、偏置电容以及第一晶体MOS管（M1），所述的偏置电阻一端连接外接电源，另一端连接至所述的偏置电容的一端，偏置电容的另一端接地；所述的第一晶体MOS管（M1）的漏极连接至偏置电阻与偏置电容之间，其源极接地，其栅极为所述的偏置电压输出端。

4. 根据权利要求3所述的一种窄脉冲电压放大器，其特征在于：所述的电流放大器包括：第二MOS晶体管（M2）、第三MOS晶体管（M3）、第四MOS晶体管（M4）以及第五MOS晶体管（M5），所述的第二MOS晶体管（M2）的源极连接输入信号，其漏极连接至所述的第三MOS晶体管（M3）的漏极，其栅极连接至所述的偏置电压输出端；所述的第三MOS晶体管（M3）的栅极连接至所述的第四MOS晶体管（M4）的栅极，其源极连接外接电源；所述的第四MOS晶体管（M4）的漏极连接至所述的第五MOS晶体管（M5）的漏极，其栅极连接外接电源；所述的第五MOS晶体管（M5）的栅极连接至所述的偏置电压输出端，其源极接地；所述的电流放大器的输出端从所述的第四MOS晶体管（M4）的漏极与第五MOS晶体管（M5）的漏极之间引出。

5. 根据权利要求4所示的一种窄脉冲电压放大器，其特征在于：所述的第二MOS晶体管（M2）、第五MOS晶体管（M5）为NMOS晶体管；所述的第三MOS晶体管（M3）、第四MOS晶体管（M4）为PMOS晶体管。

6. 根据权利要求3所述的一种窄脉冲电压放大器，其特征在于：所述的电压缓冲器包括：MOS晶体管（M0）、第六MOS晶体管（M6），所述的MOS晶体管（M0）的栅极连接至所述的电流放大器的输出端，其源极连接至所述的第六MOS晶体管（M6）的漏极，其漏极连接外接电源；所述的第六MOS晶体管（M6）的栅极连接至所述的偏置电压输出端，其源极接地；输出信号从所述的MOS晶体管（M0）的漏极与第六MOS晶体管（M6）的漏极之间引出。

7. 根据权利要求3所述的一种窄脉冲电压放大器，其特征在于：所述的电压缓冲器包括：NPN晶体管（Q0）、第六MOS晶体管（M6），所述的NPN晶体管（Q0）的基极连接至所述的电流放大器的输出端，其发射极连接至所述的第六MOS晶体管（M6）的漏极，其集电极连接外接电源；所述的第六MOS晶体管（M6）的栅极连接至所述的偏置电压输出端，其源极接地；输出信号从所述的NPN晶体管（Q0）的发射极与第六MOS晶体管（M6）的漏极之间引出。

8. 根据权利要求1所述的一种窄脉冲电压放大器，其特征在于：所述的反馈电路包括：输入电阻和反馈电阻，所述的输入电阻的一端连接输入信号，另一端连接至所述的电流放大器的输入端；所述的反馈电阻的一端连接至所述的电流放大器的输出端，另一端连接至所述的电流放大器的输入端。