[发明专利]腔室装置及具有其的基片处理设备无效

专利信息
申请号: 201110327687.6 申请日: 2011-10-24
公开(公告)号: CN103060774A 公开(公告)日: 2013-04-24
发明(设计)人: 张秀川 申请(专利权)人: 北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司
主分类号: C23C16/44 分类号: C23C16/44;C23C16/455;C23C16/458
代理公司: 北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201 代理人: 黄德海
地址: 100176 北京*** 国省代码: 北京;11
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摘要:
搜索关键词: 装置 具有 处理 设备
【权利要求书】:

1.一种腔室装置,其特征在于,包括:

腔室本体,所述腔室本体内限定有腔室;

多层托盘,所述多层托盘沿着竖直方向间隔地设在所述腔室内,所述多层托盘通过竖直设置的支撑件固定连接且通过驱动所述支撑件转动带动所述托盘转动,所述多层托盘分别用于承载基片;以及

进气管路,所述进气管路位于腔室内且设置在所述多层托盘的一侧,用于向承载在所述多层托盘的基片的至少一部分喷射工艺气体。

2.根据权利要求1所述的腔室装置,其特征在于,所述腔室装置进一步包括:

外部加热源,所述外部加热源围绕所述腔室本体外周设置。

3.根据权利要求1所述的腔室装置,其特征在于,所述外部加热源为感应线圈。

4.根据权利要求1所述的腔室装置,其特征在于,所述腔室装置进一步包括:

驱动电机,所述驱动电机用于驱动所述支撑件单向地匀速转动。

5.根据权利要求1所述的腔室装置,其特征在于,所述进气管路由石英制成。

6.根据权利要求1所述的腔室装置,其特征在于,所述进气管路呈扇形并朝向承载在所述多层托盘上的基片水平地均匀喷射工艺气体。

7.根据权利要求6所述的腔室装置,其特征在于,所述进气管路的扇形的曲率与所述多层托盘的曲率相同且与所述多层托盘间隔预定距离,所述扇形的弦长设置成使得所述进气管路水平喷射的工艺气体覆盖住设置在所述每个托盘上的基片。

8.根据权利要求1所述的腔室装置,其特征在于,所述腔室装置进一步包括:

排气通路,所述排气通路与所述扇形进气管路相对设置,用于排除工艺气体;以及

真空泵,所述真空泵连接至所述排气通路。

9.根据权利要求1所述的腔室装置,其特征在于,所述托盘由石墨或者合金所形成。

10.根据权利要求1所述的腔室装置,其特征在于,所述托盘的主体部分由石英形成,且与基片接触的部分由石墨或者合金所形成。

11.一种基片处理设备,其特征在于,包括如权利要求1-10中任一项所述的腔室装置。

12.根据权利要求11所述的基片处理设备,其特征在于,所述基片处理设备为化学气相沉积设备。

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