[发明专利]保留部分无定形碳层的方法

权利要求书

1.一种保留部分无定形碳层的制作方法，其特征在于，包括以下步骤：

在衬底上形成多晶硅线；

在多晶硅线上依次沉积无定形碳层、绝缘抗反射涂层和氮化硅硬掩膜层；

在氮化硅硬掩膜层上涂敷光刻胶，光刻形成无定形碳层剥离区域的第一窗口；

刻蚀第一窗口内的氮化硅硬掩膜层，停留在绝缘抗反射涂层上，在氮化硅硬掩膜层中形成第二窗口；

刻蚀去除光刻胶；

刻蚀去除第二窗口内的绝缘抗反射涂层和无定形碳层。

2.根据权利要求1所述的保留部分无定形碳层的制作方法，其特征在于：所述在衬底上形成硅纳米线的步骤具体包括：

采用热氧化方法，在衬底上形成二氧化硅层，在二氧化硅层上沉积多晶硅层，对所述多晶硅层进行轻掺杂；

对所述多晶硅层采用光刻、刻蚀工艺，形成多晶硅线。

3.根据权利要求1所述的保留部分无定形碳层的制作方法，其特征在于：所述无定形碳层对氮化硅的刻蚀选择比为4∶1；所述无定形碳层对多晶硅的刻蚀选择比为6∶1。

4.根据权利要求2所述的保留部分无定形碳层的制作方法，其特征在于：所述无定形碳层对二氧化硅的刻蚀选择比为10∶1。

5.根据权利要求1所述的保留部分无定形碳层的制作方法，其特征在于：所述绝缘抗反射涂层的厚度为200-600埃。