[发明专利]GaN基双蓝光波长发光器件及其制备方法

权利要求书

1.一种GaN基双蓝光波长LED外延片，其结构从衬底开始，依次为GaN缓冲层、GaN本征层、n-GaN层、反对称n-AlGaN层、高In组分多量子阱、低In组分多量子阱和p-GaN层。

2.根据权利要求1所述的GaN基双蓝光波长LED外延片，其特征在于所述n-AlGaN层的电子浓度为1×10¹⁸ ～5×10¹⁸ cm^-3。

3.根据权利要求1或2所述的GaN基双蓝光波长LED外延片，其特征在于所述的n-AlGaN层施主为Si。

4.根据权利要求1所述的GaN基双蓝光波长LED外延片，其特征在于所述n-AlGaN层的厚度为10 nm～20 nm，而Al的组分为8%～20%。

5.根据权利要求1所述的GaN基双蓝光波长LED外延片，其特征在于p-GaN层掺有受主Mg。

6.根据权利要求1所述的GaN基双蓝光波长LED外延片，其混合多量子阱的活性层从衬底至p-GaN方向，依次为2~3个周期的In_xGa_1-xN/GaN量子阱和2~3个周期的In_yGa₁-yN/GaN量子阱，其中In_xGa_1-xN/GaN多量子阱的发光为蓝绿光，发射峰值在460~480 nm，而In_yGa_1-yN/GaN多量子阱的发光为蓝紫光，发射峰值在430~450 nm。

7.根据权利要求1所述的GaN基双蓝光波长LED外延片，其特征在于所述的半导体衬底的材料为蓝宝石、硅、SiC或GaN中的一种。

8.一种如权利要求1所述的GaN基双蓝光波长LED外延片的制备方法，其特征在于包括下列步骤：采用AlGaInN系材料生长MOCVD，在衬底依次生长GaN缓冲层、GaN本征层、n-GaN层、反对称n-AlGaN层、2~3个周期的In_xGa_1-xN/GaN量子阱和2~3个周期的In_yGa₁-yN/GaN量子阱，以及p型GaN。

9.一种白光LED，其特征是由权利要求1所述的GaN基双蓝光波长LED芯片与黄光荧光粉结合封装成。

10.根据权利要求9所述的白光LED，其特征在于，其发射峰值的范围在550~580nm，所述黄光荧光粉材料为YAG:Ce、硅酸盐、铝酸盐或氮化物中的一种。