[发明专利]一种用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法

权利要求书

1.一种用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法，其包括下列步骤：提供一基板，在该基板上形成一非晶硅薄膜；2.提供一准分子激光发生器，其能发射出脉冲激光束，该脉冲激光束照射该非晶硅薄膜形成一照射区域，使得该照射区域处于熔融状态；3.基板平移一扫描间距，准分子激光器再次射出一脉冲激光束，该扫描间距在平均扫描间距的0.8～1.2倍范围内变化，且前后两次的扫描间距差值在平均扫描间距的0.1倍范围内；4.重复步骤3，直到完成整个基板的激光照射。

2.如权利要求1所述的用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法，其特征在于：步骤3中基板平移一扫描间距，所述准分子激光器发出的激光脉冲方向固定不动。

3.如权利要求1所述的用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法，其特征在于：步骤3中基板固定不动，所述准分子激光器调整激光脉冲方向平移一扫描间距。

4.如权利要求1所述的用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法，其特征在于：步骤3中所述扫描间距在平均扫描间距的0.9～1.1倍范围内变化。

5.如权利要求1所述的用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法，其特征在于：步骤2中所述激光束宽度大约为400μm。

6.如权利要求1所述的用于薄膜晶体管的多晶硅激光退火方法，其特征在于：步骤3中所述扫描间距介于10μm～20μm之间。