[发明专利]光伏器件的金属触点及其低温制造工艺无效
申请号: | 201110328908.1 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN102456773A | 公开(公告)日: | 2012-05-16 |
发明(设计)人: | 布兰登·M·卡耶斯;伊西克·C·奇吉尔亚里;聂辉;美利莎·J·艾契尔 | 申请(专利权)人: | 奥塔装置公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京安信方达知识产权代理有限公司 11262 | 代理人: | 周靖;郑霞 |
地址: | 美国加利*** | 国省代码: | 美国;US |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 器件 金属 触点 及其 低温 制造 工艺 | ||
1.一种在光伏器件上形成金属触点的方法,包括:
在光伏电池的吸收层上沉积钯层;
在所述钯层上沉积锗层;
在所述锗层上沉积金属覆盖层;并且
将所述光伏电池加热到约20℃至约275℃范围内的温度,以形成布置在所述吸收层和所述金属覆盖层之间的钯锗合金。
2.如权利要求1所述的方法,其中沉积所述金属覆盖层包括:
在所述锗层上沉积粘附层;并且
在所述粘附层上沉积导电层。
3.如权利要求1所述的方法,其中所述加热进行约5分钟至约60分钟范围内的时间段。
4.如权利要求1所述的方法,其中所述温度在约150℃至约275℃的范围内,并且所述加热进行至少约30秒的时间段。
5.如权利要求3所述的方法,其中所述温度在约100℃至约150℃的范围内,并且所述加热进行约5分钟至约60分钟范围内的时间段。
6.如权利要求1所述的方法,其中所述温度在约20℃至约175℃的范围内,并且所述加热持续约5分钟至约60分钟范围内的时间段。
7.如权利要求1所述的方法,其中所述钯层具有约至约范围内的厚度,并且在沉积工艺期间,所述钯层在约20℃至约200℃范围内的温度下被沉积。
8.如权利要求1所述的方法,其中所述锗层具有约至约范围内的厚度,并且在沉积工艺期间,所述锗层在约20℃至约200℃范围内的温度下被沉积。
9.如权利要求2所述的方法,其中所述粘附层包含钛或钛合金,且具有至少约的厚度。
10.如权利要求2所述的方法,其中所述导电层包含金或金合金,且具有至少约的厚度。
11.如权利要求1所述的方法,其中所述光伏电池的吸收层包含n-型砷化镓材料。
12.如权利要求11所述的方法,其中所述金属触点布置在所述光伏电池的背面上。
13.一种在光伏器件上形成金属触点的方法,包括:
在光伏电池的吸收层上沉积钯层;
在所述钯层上沉积锗层;
在所述锗层上沉积粘附层;
在所述粘附层上沉积导电层;并且
将所述光伏电池加热到约150℃至约275℃范围内的温度,持续至少0.5分钟的时间段,以形成布置在所述吸收层和所述粘附层之间的钯锗合金。
14.一种布置在光伏器件上的金属触点,包括:
钯锗合金层,其布置在光伏电池的吸收层上;及
金属覆盖层,其布置在所述钯锗合金层上。
15.如权利要求14所述的金属触点,其中所述金属覆盖层包含:
粘附层,其布置在所述钯锗合金层上;及
导电层,其布置在所述粘附层上。
16.如权利要求15所述的金属触点,其中所述粘附层包含钛。
17.如权利要求15所述的金属触点,其中所述导电层包含金。
18.如权利要求14所述的金属触点,其中所述钯锗合金层具有约至约范围内的厚度。
19.如权利要求18所述的金属触点,其中所述钯锗合金层的厚度在约至约的范围内。
20.如权利要求15所述的金属触点,其中所述粘附层具有至少约的厚度。
21.如权利要求15所述的金属触点,其中所述导电层具有至少约的厚度。
22.如权利要求14所述的金属触点,其中所述光伏电池的吸收层包含n-型砷化镓材料。
23.如权利要求14所述的金属触点,其中所述金属触点布置在所述光伏电池的背面上。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的