[发明专利]光电转换装置和固态成像装置

权利要求书

1.一种光电转换装置，其包括：

一对电极；

光电转换层，所述光电转换层被夹在所述一对电极之间；和

至少一个电子阻挡层，所述至少一个电子阻挡层被设置在所述一对电极中的一个电极与所述光电转换层之间，

其中所述光电转换层包含至少一种有机材料，并且

所述至少一个电子阻挡层具有包含富勒烯或富勒烯衍生物的混合层。

2.权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述电子阻挡层形成有多个层，

所述多个层包括：

包含按体积比计为10％以下的富勒烯或富勒烯衍生物的层，和

所述混合层，其包含：

与在所述包含按体积比计为10％以下的富勒烯或富勒烯衍生物的层中包含的富勒烯或富勒烯衍生物不同的材料；和

富勒烯或富勒烯衍生物。

3.权利要求2所述的光电转换装置，

其中所述包含按体积比计为10％以下的富勒烯或富勒烯衍生物的层与所述电极接触。

4.权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述混合层中包含的富勒烯或富勒烯衍生物的含量按体积比计为30％至70％。

5.权利要求4所述的光电转换装置，

其中所述混合层与所述光电转换层接触。

6.权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述光电转换层具有体相异质层，所述体相异质层包含n型有机半导体材料和p型有机半导体材料。

7.权利要求6所述的光电转换装置，

其中所述n型有机半导体材料是富勒烯或富勒烯衍生物。

8.权利要求7所述的光电转换装置，

其中所述体相异质层包含按体积比计为40％至80％的富勒烯或富勒烯衍生物。

9.权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述电子阻挡层的厚度为20nm以上。

10.权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述电子阻挡层的电离势(Ip)为5.2eV以上。

11.权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述混合层的厚度为5nm以上。

12.权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述混合层的厚度为10nm以上。

13.权利要求1所述的光电转换装置，

其中所述混合层包含玻璃化转变温度为200℃以上的有机化合物。

14.一种固态成像装置，其包括：

多个根据权利要求1-13中任一项所述的光电转换装置；

多个滤色器，其被设置在各个所述光电转换装置上；和

信号读出部，所述信号读出部读出与所述光电转换装置的所述光电转换层中产生的电荷相应的信号。