[发明专利]一种基于基片集成波导的Ka波段功率合成器

权利要求书

1.一种基于基片集成波导的Ka波段功率合成器，包括输入信号功分结构(A)和功率合成输出结构(B)；其特征在于：

所述输入信号功分结构(A)为微带-半模基片集成波导混合电路结构，包括两级功分结构：第一级功分结构为Y型微带线2等分功分器(A1)，第二级功分结构为两个半模基片集成波导2等分功分器(A3)；所述Y型微带线2等分功分器(A1)的两个输出支路分别通过渐变微带线(A2)连接至两个半模基片集成波导2等分功分器(A3)的输入端，两个半模基片集成波导2等分功分器A3背靠背设置并向两外侧输出；

所述功率合成输出结构(B)为半模-全模基片集成波导结构，包括两个半模基片集成波导功率合成器(B1)和一个半模-全模基片集成波导功率合成器(B2)；所述两个半模基片集成波导功率合成器(B1)的输出端分别与所述半模-全模基片集成波导功率合成器(B2)的两个输入端连接，所述半模-全模基片集成波导功率合成器(B2)的输出端再通过梯形微带过渡线(B3)过渡到输出微带线；

所述半模基片集成波导2等分功分器(A3)的两个输出端分别通过各自放大器与所述半模基片集成波导功率合成器(B1)的两个输入端相连；整个功率合成器结构呈中心线对称；所述功率合成输出结构(B)的两个半模基片集成波导功率合成器(B1)形成对两个半模基片集成波导2等分功分器(A3)的半包围结构，使得所述功率合成输出结构(B)与所述输入信号功分结构(A)形成嵌入式结合，实现结构上的紧缩。

2.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的Ka波段功率合成器，其特征在于，所述Y型微带线2等分功分器(A1)的输入微带线特性阻抗为50欧姆，两个输出支路微带线特性阻抗为100欧姆；所述输出微带线的特性阻抗为50欧姆。

3.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的Ka波段功率合成器，其特征在于，所述半模基片集成波导2等分功分器(A3)中两个输出端的之间的距离与所述半模基片集成波导功率合成器(B1)中两个输入端的之间的距离相等，以保证所述半模基片集成波导功率合成器B1的两路输入信号合成后相差为零，从而获得最大的功率输出。

4.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的Ka波段功率合成器，其特征在于，所述半模基片集成波导2等分功分器(A3)中，在靠近两个输出端的电壁附近具有两个金属化调节孔，以保证所述半模基片集成波导2等分功分器(A3)的两路输出信号幅度相等。

5.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的Ka波段功率合成器，其特征在于，所述半模基片集成波导功率合成器(B1)中，在靠近两个输入端的电壁附近具有两个金属化调节孔，以保证所述半模基片集成波导2等分功分器(A3)输出的两路等幅固定相差的信号经放大器放大后在所述半模基片集成波导功率合成器(B1)中合成相差为零的一路信号。

6.根据权利要求1所述的基于基片集成波导的Ka波段功率合成器，其特征在于，所述半模基片集成波导功率合成器(B1)中，在靠近合成输出端的电壁附近设置有三个金属化感性通孔以提高功率合成效率并降低回波损耗。