[发明专利]太阳能电池RIE工艺温度补偿方法有效
申请号: | 201110329442.7 | 申请日: | 2011-10-26 |
公开(公告)号: | CN102364700A | 公开(公告)日: | 2012-02-29 |
发明(设计)人: | 钟明 | 申请(专利权)人: | 常州天合光能有限公司 |
主分类号: | H01L31/18 | 分类号: | H01L31/18 |
代理公司: | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人: | 王凌霄 |
地址: | 213031 江苏省*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 太阳能电池 rie 工艺 温度 补偿 方法 | ||
1.一种太阳能电池RIE工艺温度补偿方法,其特征是:具体步骤如下:
a)每次作业之前通过热电偶或红外线温度侦测仪侦测基板温度;
b)此温度值将反馈至操作系统,系统根据温度值计算出实际工艺时间,工 艺时间计算公式如下:
T=T0+a*ln(T1)+b;
T:补偿后的工艺时间;
T0:设定工艺时间;
T1:基板温度;
a和b:常数,根据收集的温度与工艺时间数据计算出;
c)设备工作时将以补偿后的工艺时间为实际工艺时间。
2.根据权利要求1所述的太阳能电池RIE工艺温度补偿方法,其特征是: 根据收集的温度与工艺时间数据计算出a和b产生的方法为:
假设基板温度T1=X1时,根据实际的反射率结果手动调整工艺时间,当反射 率达到要求时,得到实际工艺时间为Y1,将X1和Y1带入公式得到公式1:
Y1=T0+a*X1+b
按同样方法可得到当基板温度为X2时的实际工艺时间Y2,带入公式可得到 公式2:
Y2=T0+a*X2+b
根据这两个公式计算出a,b值。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的