[发明专利]有机发光二极管显示器及其制造方法

说明书

技术领域

实施例涉及有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。

背景技术

由于有机发光二极管(OLED)显示器的特性，即视角宽、响应速率快、功耗低、重量较轻和尺寸微小，其作为下一代显示器已获得很多关注。

发明内容

示例性实施例可以致力于一种有机发光二极管(OLED)显示器及其制造方法。

根据示例性实施例，一种有机发光二极管(OLED)显示器包括基板、位于所述基板上的绝缘层以及包括位于所述绝缘层上的透明导电层的像素电极。所述绝缘层的与所述透明导电层接触的表面的一部分具有多个凹孔，所述多个凹孔通过利用进入所述绝缘层与所述像素电极的透明导电层之间的界面的蚀刻剂进行蚀刻而形成。

所述多个凹孔可以用作透镜。

所述透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。

所述蚀刻剂可以包括氟酸(HF)和氟化铵(NH₄F)。

包括在所述蚀刻剂中的所述氟酸可以小于1.5wt％，并且包括在所述蚀刻剂中的所述氟化铵可以小于35wt％。

所述绝缘层可以包括氮化硅(SiNx)。

所述有机发光二极管(OLED)显示器可以进一步包括：有源层，利用半导体材料形成在所述基板和所述绝缘层之间；栅电极，设置在与所述绝缘层上的所述像素电极相同的层上，并且包括所述透明导电层和所述透明导电层上的金属层；附加绝缘层，具有暴露所述像素电极的绝缘层开口，所述附加绝缘层位于所述绝缘层上以覆盖所述栅电极；源电极和漏电极，位于所述附加绝缘层上并且分别电连接至所述有源层；位于所述像素电极上的有机发射层；以及位于所述有机发射层上的公共电极。

所述像素电极进一步包括位于所述透明导电层的一部分上的金属层。

所述金属层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)的金属中的至少一种。

可以进一步包括：利用与所述有源层相同的层、由所述半导体材料制成的第一电容器电极，以及利用与所述栅电极相同的层和相同的材料形成的第二电容器电极，所述第二电容器电极与所述第一电容器电极重叠。

根据示例性实施例，一种制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法，包括：在基板上形成绝缘层；在所述绝缘层上形成包括透明导电层的像素电极；以及通过蚀刻剂来蚀刻所述绝缘层的与所述像素电极的透明导电层接触的表面的一部分，以形成多个凹孔。

所述蚀刻剂可以渗入所述绝缘层与所述像素电极的透明导电层之间的界面中。

所述多个凹孔可以用作透镜。

所述透明导电层可以包括氧化铟锡(ITO)、氧化铟锌(IZO)、氧化锌(ZnO)、氧化铟(In₂O₃)、氧化铟镓(IGO)和氧化铝锌(AZO)中的至少一种。

所述蚀刻剂可以包括氟酸(HF)和氟化铵(NH₄F)。

包括在所述蚀刻剂中的所述氟酸可以小于1.5wt％，并且包括在所述蚀刻剂中的所述氟化铵可以小于35wt％。

所述绝缘层可以包括氮化硅(SiNx)。

所述制造有机发光二极管(OLED)显示器的方法可以进一步包括：在形成所述绝缘层之前，在所述基板形成由半导体材料形制成的有源层；在所述绝缘层上沉积与所述像素电极位于相同的层上的所述透明导电层和金属层，以形成栅电极；形成具有暴露所述像素电极的绝缘层开口的附加绝缘层，所述附加绝缘层覆盖所述绝缘层上的所述栅电极；在所述附加绝缘层上形成分别电连接至所述有源层的源电极和漏电极；在所述像素电极上形成有机发射层；以及在所述有机发射层上形成公共电极。

所述金属层可以包括铝(Al)、铂(Pt)、钯(Pd)、银(Ag)、镁(Mg)、金(Au)、镍(Ni)、钕(Nd)、铱(Ir)、铬(Cr)、锂(Li)、钙(Ca)、钼(Mo)、钛(Ti)、钨(W)和铜(Cu)的金属中的至少一种。

可以进一步包括：利用与所述有源层相同的层、由所述半导体材料制成的第一电容器电极，以及利用与所述栅电极相同的层和相同的材料制成的第二电容器电极，所述第二电容器电极与所述第一电容器电极重叠。

附图说明