[发明专利]LED芯片的制造方法

权利要求书

1.一种LED芯片的制造方法，其特征在于：包括对于母板沿着预定分割线照射激光光束从而形成用于分割成各个LED元件主体的分割起点的步骤，该母板中，在透光性基板的表面侧以图案形成着多个LED元件主体，且在背面侧包括预定分割线上的部位在内形成着反射膜，该LED芯片的制造方法中，

在背面侧形成反射膜，所述反射膜具有将来自所述LED元件主体的发出光的波长范围反射、且使照射在预定分割线上的激光光束的波长光透过的性质，且

以使所述激光光束从背面侧透过反射膜直接照射在基板背面上的方式对基板进行激光加工。

2.如权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其中透光性基板是蓝宝石基板。

3.如权利要求1所述的LED芯片的制造方法，其中所述反射膜在400nm～700nm的可见光区域的反射率为90％以上，在900nm以上的红外区域的透过率为50％以上。

4.如权利要求2所述的LED芯片的制造方法，其中所述反射膜在400nm～700nm的可见光区域的反射率为90％以上，在900nm以上的红外区域的透过率为50％以上。

5.如权利要求3所述的LED芯片的制造方法，其中所述反射膜是由介电多层膜所形成。

6.如权利要求4所述的LED芯片的制造方法，其中所述反射膜是由介电多层膜所形成。

7.如权利要求1～6中的任一项所述的LED芯片的制造方法，其中作为激光光束照射Nd:YAG激光所产生的1064nm的脉冲激光。

8.如权利要求7所述的LED芯片的制造方法，其中作为脉冲激光，沿着预定分割线分散地照射脉宽短于10^-10秒的超短脉冲激光。