[发明专利]蚀刻发光器件的生长层以减小漏电

权利要求书

1.一种制造发光二极管(LED)的方法包括：

提供生长衬底；

在所述生长衬底上生长第一外延层，其中，所述第一外延层包括在所述生长衬底上方的非掺杂层和在所述非掺杂层上方的n-掺杂层；

图案化所述n-掺杂层，以形成所述n-掺杂层的第一区域和临近所述第一区域的所述n-掺杂层的台面区域；

蚀刻所述n-掺杂层的所述第一区域，以产生所述n-掺杂层的所述第一区域的粗糙表面；

在所述n-掺杂层的所述台面区域上生长附加的外延层，其中，所述附加的外延层包括在所述n-掺杂层的所述台面区域上方的有源层和在所述有源层上方的p-掺杂层；以及

在所述p-掺杂层上和在所述第一区域中的所述n-掺杂层的所述粗糙表面上形成金属触点。

2.根据权利要求1所述的方法，其中，所述图案化n-掺杂层包括在所述n-掺杂层的所述台面区域上形成图案化的第一介电层。

3.根据权利要求2所述的方法，其中，所述生长附加的外延层包括：

去除所述图案化的第一介电层，从而暴露所述n-掺杂层的所述台面区域；

在所述n-掺杂层的所述第一区域上形成图案化的第二介电层；

在所述暴露的n-掺杂层的所述台面区域上生长所述附加的外延层；以及

去除所述图案化的第二介电层。

4.根据权利要求2所述的方法，其中，所述蚀刻所述n-掺杂层的所述第一区域以产生粗糙表面包括：使用所述图案化的第一介电层作为掩模蚀刻所述第一区域。

5.根据权利要求3所述的方法，其中，所述生长附加的外延层包括：生长所述有源层，使所述有源层的顶面高于所述第一区域上的所述图案化的第二介电层的顶面。

6.根据权利要求5所述的方法，其中，所述生长附加的外延层进一步包括：生长p-掺杂层，以覆盖有源层的顶面和侧壁，所述有源层突出到所述图案化的第二介电层的顶面上方。

7.根据权利要求1所述的方法，其中，所述生长附加的外延层包括：生长所述p-掺杂层，以覆盖所述有源层的顶面和所述有源层的侧边的上部。

8.根据权利要求1所述的方法，其中，所述形成金属触点包括：

在所述p-掺杂层上形成图案化的电流扩散层；

在所述图案化的电流扩散层上形成p-电极；以及

在所述第一区域的所述n-掺杂层的所述粗糙表面上形成n-电极。

9.一种形成发光二极管(LED)的方法包括：

提供生长衬底；

在所述生长衬底上生长半导体材料的n-掺杂层；

形成图案化的第一介电层以覆盖所述n-掺杂层的台面区域；

蚀刻所述图案化的第一介电层没有覆盖的n-掺杂层，从而形成围绕着所述台面结构的所述n-掺杂层的蚀刻区域，其中，所述台面结构包括由所述图案化的第一介电层所覆盖的所述n-掺杂层的所述台面区域；

粗糙化所述n-掺杂层的蚀刻区域，以形成散射镜；

去除所述图案化的第一介电层，从而暴露所述台面结构的所述n-掺杂层的所述台面区域；

在所述散射镜上形成图案化的第二介电层；

在所述台面结构的所述n-掺杂层的所述台面区域的顶部上生长有源层；

生长所述半导体材料的p-掺杂层，以覆盖所述台面结构的所述有源层的顶面和侧壁上部；

去除所述图案化的第二介电层，从而暴露所述散射镜；以及

在所述p-掺杂层和所述n-掺杂层上形成电极。

10.一种发光二极管(LED)包括：

衬底；

在所述衬底上的n-掺杂层，其中，所述n-掺杂层具有临近粗糙区域的台面区域，其中，所述台面区域的顶面高于所述粗糙区域的顶面；

设置在所述n-掺杂层的所述台面区域的顶部上的有源层；

设置在所述有源层上的p-掺杂层，其中，所述p-掺杂层覆盖所述有源层的顶面和侧壁部分；以及

设置在所述p-掺杂层上和所述n-掺杂层的粗糙区域上的电极，其中，所述n-掺杂层的所述粗糙区域散射自所述有源层发射出的光。