[发明专利]光电转换元件及其制造方法

权利要求书

1.一种光电转换元件，其包括：

光电转换层；

设置于所述光电转换层的一个表面上的阴极，所述阴极包括一部分碳原子至少被氮原子取代的单层石墨烯和/或多层石墨烯；和

设置于该光电转换层的另一个表面上的阳极。

2.根据权利要求1的元件，其中所述单层石墨烯和/或多层石墨烯是平面的。

3.根据权利要求1的元件，其中所述阴极的逸出功等于或小于铝的逸出功。

4.根据权利要求1的元件，其中一部分碳原子进一步被至少一种选自氧原子、硼原子、磷原子和砷原子的原子取代。

5.根据权利要求1的元件，其还包括在所述阴极和光电转换层之间提供的电子注入层。

6.根据权利要求1的元件，其中所述阳极包括选自未取代的单层石墨烯、未取代的多层石墨烯、用硼原子取代的单层石墨烯和用硼原子取代的多层石墨烯中的至少一种。

7.根据权利要求1的元件，其中所述阴极的石墨烯掺杂有供电子分子或原子，或者所述阳极的石墨烯掺杂有电子接受分子或原子。

8.一种光电转换元件的制造方法，其包括：

在基板上形成阴极，所述阴极包括一部分碳原子至少被氮原子取代的单层石墨烯和/或多层石墨烯；

在所述阴极上形成光电转换层；和

在所述光电转换层上形成阳极。

9.根据权利要求8的方法，其还包括：在形成所述阴极之后和在该阴极上形成所述光电转换层之前形成电子注入层。

10.根据权利要求8或9的方法，其还包括：在所述阴极上形成所述光电转换层之后形成第二光电转换层。