[发明专利]氧化铜分级阵列薄膜及其制备方法

权利要求书

1.一种氧化铜分级阵列薄膜，包括表面覆有氧化铜的微球，其特征在于：

所述微球为微米球和亚微米球，所述微米球和亚微米球位于基底上，并组成厚度为1～10μm的薄膜，所述薄膜中的微米球按六方有序排列、亚微米球位于微米球之间；

所述微米球的球直径为1～10μm，所述亚微米球的球直径为100～800nm；

所述氧化铜为棒簇状，所述构成棒簇的氧化铜棒的棒长为50～400nm、棒直径为30～60nm。

2.根据权利要求1所述的氧化铜分级阵列薄膜，其特征是基底为导电体，或半导体，或绝缘体。

3.一种权利要求1所述氧化铜分级阵列薄膜的制备方法，包括物理沉积法，其特征在于完成步骤如下：

步骤1，先于基底上将球直径为1.5～15μm的聚苯乙烯胶体微米球合成为六方紧密排列的单层晶体模板，再使用活性等离子体刻蚀单层晶体模板2～10min，得到其上的聚苯乙烯胶体微米球呈六方有序松散排列的单层晶体模板；

步骤2，先将球直径为100～800nm的亚微米球充填于六方有序松散排列的单层晶体模板的聚苯乙烯胶体微米球之间的空隙中，得到六方有序松散排列的聚苯乙烯胶体微米球之间布满亚微米球的复合晶体模板，再使用激光脉冲沉积法于复合晶体模板上沉积氧化铜，制得氧化铜分级阵列薄膜。

4.根据权利要求3所述的氧化铜分级阵列薄膜的制备方法，其特征是基底为导电体，或半导体，或绝缘体。

5.根据权利要求3所述的氧化铜分级阵列薄膜的制备方法，其特征是刻蚀单层晶体模板时的活性等离子体为氧等离子体，其输出功率为80～120W。

6.根据权利要求3所述的氧化铜分级阵列薄膜的制备方法，其特征是亚微米球为聚苯乙烯胶体球，或有机玻璃球，或二氧化硅球。