[发明专利]金属陶瓷基片以及用于制造这种基片的方法

权利要求书

1.一种金属陶瓷基片，特别用于电路或模块，该金属陶瓷基片包括至少一个第一外部金属层(4)，该第一外部金属层(4)形成金属陶瓷基片(1、1a-1f)的第一表面侧，该金属陶瓷基片还包括至少一个第二外部金属层(5)，该第二外部金属层(5)形成金属陶瓷基片(1、1a-1f)的第二表面侧，第一外部金属层和第二外部金属层(4、5)分别通过两维结合而与板状基片本体的表面侧结合，其特征在于：为了提高机械特性、热特性和电特性，基片本体包括至少两个陶瓷层(2)和至少一个中间层(3、3a-3f)，该至少一个中间层(3、3a-3f)布置在这些陶瓷层(2)之间，并使得陶瓷层(2)相互分离，所述中间层包括至少一个内部金属层(3.1、3.3)，并通过结合而与陶瓷层(2)两维连接。

2.根据权利要求1所述的金属陶瓷基片，其特征在于：在该至少两个陶瓷层(2)之间有单个中间层(3、3a-3f)，该单个中间层(3、3a-3f)在陶瓷层(2)的、邻近该单个中间层的整个或基本整个表面侧上延伸。

3.根据权利要求1或2所述的金属陶瓷基片，其特征在于：中间层(3、3a-3f)的层厚(d3、d3a-d3f)至少等于第一、第二外部金属层(4、5)的层厚(d4、d5)，不过优选是大于第一、第二外部金属层(4、5)的层厚(d4、d5)，和/或大于至少一个陶瓷层(2)的层厚(d2)。

4.根据前述任意一项权利要求所述的金属陶瓷基片，其特征在于：中间层(3a-3f)有多层式设计，包括至少两个内部金属层(3.1-3.3)和/或至少一个内部金属层(3.1、3.2)和一个内部绝缘层(16)，例如一个内部陶瓷层，且形成该多层式中间层(3a-3f)的内部层(3.1-3.3、16)通过结合而相互两维连接。

5.根据权利要求1或2所述的金属陶瓷基片，其特征在于：中间层(3f)包括布置在两个内部金属层(3.1、3.2)之间的一个内部绝缘层(16)。

6.根据前述任意一项权利要求所述的金属陶瓷基片，其特征在于：中间层(3c-3f)包括至少一个凹口(10)，优选是用于形成槽道或腔室的至少一个凹口，所述槽道或腔室用于接收在结合过程中释放的气体组分和/或蒸气组分和/或液体组分，特别是也用于接收在结合过程中使用的多余结合剂，该至少一个凹口优选在金属陶瓷基片(1c-1f)的至少一个外周侧上开口。

7.根据权利要求6所述的金属陶瓷基片，其特征在于：多层式中间层(3c-3f)包括至少两个内部金属层(3.1、3.2)，且该至少一个凹口(10)提供于所述至少两个内部金属层(3.1、3.2)中的至少一个中。

8.根据权利要求7所述的金属陶瓷基片，其特征在于：该至少一个凹口(10)或者它的内部空间在该至少一个内部金属层(3.1、3.2)的一侧开口，该内部金属层(3.1、3.2)在该侧与另外的一层(3.2、3.1、16)进行两维连接，以便形成多层式中间层(3c-3f)。

9.根据权利要求7或8所述的金属陶瓷基片，其特征在于：该至少一个凹口(10)或它的内部空间通过由内部金属层(3.1、3.2)形成的底部(15)而与相邻陶瓷层(2)分离。

10.根据前述任意一项权利要求所述的金属陶瓷基片，其特征在于：该金属陶瓷基片的断裂强度大于单个陶瓷层的断裂强度，该单个陶瓷层的层厚等于由中间层(3、3a-3f)所分离的两个陶瓷层(2)的层厚(d2)的总和。

11.一种金属陶瓷基片，其特征在于：形成中间层(3、3a-3f)的金属层(3.1-3.3)或它们的材料具有小于75的布氏硬度，优选是小于40。

12.根据前述任意一项权利要求所述的金属陶瓷基片，其特征在于：至少形成所述中间层(3、3a-3f)的内部金属层(3.1、3.2)在粘接强度或剥离强度大于10N/mm的情况下与相应的相邻陶瓷层(2)连接。

13.根据前述任意一项权利要求所述的金属陶瓷基片，其特征在于：在相互分离的陶瓷层(2)中的至少一个中提供有至少一个通孔接触件(14)，该通孔接触件使得布置在该陶瓷层(2)上的外部金属层(4)或者该外部金属层(4)的金属层区域(4.1)与一个内部金属层(3.1)机械、热和/或电连接。