[发明专利]宽带非共面馈通

权利要求书

1.一种高速馈通(HSFT)，用于在第一界面位置和第二界面位置之间传送具有至少10GHz的对应于最短自由空间波长的最高频率的的信号，所述第一位置和第二位置分开至少1毫米的垂直距离和一定的水平距离，所述高速馈通包括：

衬底结构，其包含多层叠层；以及

穿过所述衬底结构连接所述第一位置和所述第二位置之间的RF传送线，用于在所述第一位置和所述第二位置之间传送所述信号，所述RF传送线包含一系列依次连接的水平导体和垂直导体，所述水平导体的长度小于当被传送通过所述高速馈通时所述信号的对应于最短自由空间波长的有效波长的一半，所述垂直导体的高度小于所述有效波长的四分之一的垂直导体，由此以穿过所述衬底结构的所述层的楼梯状形状跨接两个所述位置之间的所述水平距离和所述垂直距离。

2.如权利要求1所述的高速馈通，其中，穿过所述衬底结构的所述层的所述楼梯状形状包括：

对于所述衬底结构的不同层从紧邻所述第一位置的位置向紧邻所述第二位置的位置逐渐水平和垂直地位移的水平导体；以及

穿过所述衬底结构的一个或多个层连接相邻水平导体的垂直重叠的端部的所述垂直导体。

3.如权利要求1所述的高速馈通，其中，所述水平导体和所述垂直导体的几何形状在约40至约60欧姆的范围中偏离所述衬底的材料中的50欧姆传送线。

4.如权利要求1所述的高速馈通，其中，所述第一位置和所述第二位置之间的所述水平距离为至少1毫米。

5.如权利要求1所述的高速馈通，其中，所述至少一个水平导体的宽度相对于所述衬底的材料中的理想50欧姆传送线变化超过10％。

6.如权利要求1所述的高速馈通，其中，所述衬底结构包含10个或更少的陶瓷层。

7.如权利要求1所述的高速馈通，其中，所述信号包含对应于约10毫米的最短自由空间波长的从约10kHz到约30GHz的波谱范围。

8.如权利要求7所述的高速馈通，其中，所述衬底结构包含7个陶瓷层。

9.如权利要求8所述的高速馈通，其中，所述第一位置和所述第二位置之间的所述垂直距离为至少3毫米。

10.如权利要求9所述的高速馈通，其中，所述第一位置和所述第二位置之间的所述水平距离为至少3毫米。

11.如权利要求1所述的高速馈通，还包括处于所述衬底结构的顶层和底层的接地共面线。

12.如权利要求1所述的高速馈通，其中，所述水平导体是共面带线。

13.如权利要求1所述的高速馈通，还包括与所述第一位置电连接的至少一个第一端子和与所述第二位置电连接的第二端子。

14.如权利要求1所述的高速馈通，还包括处于所述高速馈通内的另外7个RF传送线。

15.一种高速馈通(HSFT)，用于传送具有至少10GHz的对应于最短自由空间波长的最高频率的信号，所述高速馈通包括：

多层衬底结构；

第一端子，其与所述衬底连接；

第二端子，其与所述结构连接并与所述第一端子分开一定的垂直距离和水平距离，所述两个距离都相当于或大于当被传送通过所述高速馈通时所述信号的对应于最短自由空间波长的有效波长的一半；

穿过所述多层衬底结构连接所述第一端子和所述第二端子的RF传送线，所述RF传送线包含一系列长度小于所述有效波长的一半的水平导体，所述水平导体与高度小于所述有效波长的四分之一的垂直导体连接，

其中，相邻的水平导体和垂直导体从所述第一端子朝向所述第二端子逐渐水平和垂直位移。

16.一种封装，包含：

密封，其限定所述包装的内部和外部；

根据权利要求1的高速馈通，其包埋在所述密封内；

处于所述封装的内部中的芯片，其与所述高速馈通的第一位置连接；

外部端子，其与所述高速馈通的所述第二位置连接并暴露于所述封装的外部。

17.一种封装，包含：

密封，其限定所述包装的内部和外部；

根据权利要求15的高速馈通，其包埋在所述密封内，将所述第二端子暴露于所述封装的外部；以及

处于所述封装的内部中的芯片，其与所述高速馈通的所述第一端子连接。