[发明专利]一种简易纳米级PSS衬底制备方法有效
| 申请号： | 201110330647.7 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102368518A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 周武;罗红波;张建宝;刘榕 | 申请（专利权）人： | 华灿光电股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 江西省专利事务所 36100 | 代理人： | 胡里程 |
| 地址： | 430223 湖北省*** | 国省代码： | 湖北;42 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 简易 纳米 pss 衬底 制备 方法 | ||
1.一种简易纳米级PSS衬底制备方法，制备步骤如下：
(a) 蓝宝石衬底上沉积一层SiO2膜；
(b) 在SiO2膜上沉积一层 ITO或ZnO；
(c) 将步骤b沉积一层 ITO或ZnO的衬底放入退火炉中，进行退火，SiO2膜表面上生成均匀的ITO或ZnO晶粒；
(d)在c步退火作用后，再干法刻蚀掉未能被ITO或ZnO颗粒挡住的SiO2膜, 将均匀的纳米状的ITO或ZnO颗粒图形转移到SiO2膜层，形成纳米状的SiO2颗粒；
(e)在d步骤后再放入高温的硫酸与磷酸混合溶液中腐蚀掉未被SiO2颗粒挡住的蓝宝衬底；
(f)在e步骤后用HF酸去掉SiO2掩膜，形成纳米级PSS衬底。
2.根据权利要求1所述的简易纳米级PSS衬底制备方法，其特征在于：（a）步骤蓝宝石衬底上用PECVD设备沉积一层SiO2膜，厚度2000～5000埃。
3.根据权利要求1所述的简易纳米级PSS衬底制备方法，其特征在于：（b）步骤在SiO2膜上蒸发一层ITO或ZnO，厚度1000～3000埃。
4.根据权利要求1所述的简易纳米级PSS衬底制备方法，其特征在于：（c）步骤将步骤b蒸发一层ITO或ZnO的衬底300～600℃退火炉中进行退火0.5～2 小时，SiO2膜表面上生成均匀的ITO或ZnO晶粒。
5.根据权利要求1所述的简易纳米级PSS衬底制备方法，其特征在于：（d）在c步骤化学作用后，再RIE设备 参数：CF4:30～60sccm;反应压力：20～100mTorr；功率：300～500W, 刻蚀时间：10～30分钟，刻蚀掉未能被未能被ITO或ZnO颗粒挡住的SiO2膜, 均匀的纳米状ITO或ZnO颗粒图形转移到SiO2膜层;，形成纳米状的SiO2颗粒。
6.根据权利要求1所述的简易纳米级PSS衬底制备方法，其特征在于：(e)在d步骤后再放入230～350℃温度的硫酸与磷酸混合溶液中H2SO4: H3PO4=3:1腐蚀约10～30分钟，腐蚀掉未被SiO2颗粒挡住的蓝宝衬底。
7.根据权利要求1所述的简易纳米级PSS衬底制备方法，其特征在于： (f)在e步骤后用HF酸腐蚀10～30分钟，去掉SiO2掩膜，形成纳米级PSS衬底。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于华灿光电股份有限公司，未经华灿光电股份有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110330647.7/1.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
