[发明专利]一种无需打线的发光二极管芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种无需打线的发光二极管芯片，该芯片包括衬底层以及依次层叠于衬底层上的N型氮化镓层、发光层、P型氮化镓层、透明导电层，同时包括P、N电极，其特征在于：所述的电极主体为窄条状，分布于发光二极管芯片平行对边两侧。

2.根据权利要求1所述无需打线的发光二极管芯片，其特征在于：与电极主体平行的侧面的上部，存在一段倾斜面，使芯片上表面与侧面间成钝角。

3.根据权利要求1所述无需打线的发光二极管芯片，其特征在于：其窄条状的电极主体，其宽度小于20um。

4.根据权利要求1所述无需打线的发光二极管芯片，其特征在于：其P、N电极均从窄条状主体延伸到倾斜侧面上。

5.根据权利要求2或4所述无需打线的发光二极管芯片，其特征在于：其倾斜面的最低点相对于芯片上表面的高度差大于10um。

6.如权利要求1所述的无需打线的发光二极管芯片，其特征在于：其封装焊接结构包括正极板、隔离层、负极板三部分，隔离层置于负极板上，正极板置于隔离板上。

7.根据权利要求1所述无需打线的发光二极管芯片，其特征在于：正极板，其主体上表面和内侧面用于与芯片的P电极焊接，需要做反光处理；正极板较小端裸漏在封装结构外，用于与封装结构外部连接正向电源。

8.根据权利要求6所述无需打线的发光二极管芯片，其特征在于：隔离层采用绝缘导热材料，用于隔离正极板和负极板。

9.根据权利要求6所述无需打线的发光二极管芯片，其特征在于：负极板其凸起部分的上表面和内侧面用于与芯片的N电极焊接，需要做反光处理；负极板的较小端裸漏在封装结构外，用于与封装结构外部负向电源。

10.一种无需打线的发光二极管芯片的制备方法，其步骤：

1）在氮化镓外延片上蚀刻P区台阶；

2）在氮化镓外延片上制作保护层，裸露出N区部分区域，再采用一束或多束激光在裸露区域划出平行线，再将蓝宝石衬底片放入200~290℃的磷酸、硫酸混合物中腐蚀，得到V字形倾斜侧面；其中，激光只在某一个方向的芯片边界划线，优选为长边方向；

3）制作透明导电层；

4）蒸镀绝缘层，用于隔离P电极的延伸部分与P区台阶线的接触；

5）制作P、N电极，P、N电极平行于步骤2中的激光划痕；

6）制作钝化层；

7）蓝宝石减薄；

8）裂片。

11.根据权利要求6所述无需打线的发光二极管芯片，其特征在于：其封装焊接的方法为：

1）在封装焊接结构的隔离层处滴上胶水；

2）将芯片放上隔离层，芯片的N电极裸露部分靠近负极板，芯片的P电极裸露部分靠近正极板；

3）芯片P电极的裸露部分与封装结构正极板通过熔融后凝固的焊料连接；芯片N电极的裸露部分与封装结构的负极板凸起部分通过熔融后凝固的焊料连接。