[发明专利]切割芯片粘合膜、半导体晶片和半导体装置

权利要求书

1.一种切割芯片粘合膜，包括：

粘合层；和

与所述粘合层邻接的压敏粘结剂层，

所述压敏粘结剂层在25℃下具有400kPa至600kPa的储能模量和根据KS-A-01107标准测定的相对于所述粘合层的200mN至350mN/25mm的剥离强度。

2.根据权利要求1所述的切割芯片粘合膜，其中所述压敏粘结剂层通过热固化形成。

3.根据权利要求1所述的切割芯片粘合膜，其中所述压敏粘结剂层具有根据KS-A-01107标准测定的相对于环形框架的150mN至300mN/25mm的剥离强度。

4.根据权利要求1所述的切割芯片粘合膜，其中所述压敏粘结剂层包括粘结剂树脂和热固化剂。

5.根据权利要求1所述的切割芯片粘合膜，其中所述压敏粘结剂层不包括光引发剂。

6.根据权利要求4所述的切割芯片粘合膜，其中所述压敏粘结剂层进一步包括硅烷偶联剂。

7.根据权利要求4所述的切割芯片粘合膜，其中所述粘结剂树脂具有150,000g/mol至700,000g/mol的重均分子量。

8.根据权利要求4所述的切割芯片粘合膜，其中所述粘结剂树脂具有-55℃至-30℃的玻璃化转变温度。

9.根据权利要求4所述的切割芯片粘合膜，其中所述粘结剂树脂在聚合后不含乙烯基。

10.根据权利要求4所述的切割芯片粘合膜，其中所述粘结剂树脂为(甲基)丙烯酸烷基酯、含羟基的(甲基)丙烯酸酯和含环氧基的(甲基)丙烯酸酯的共聚物。

11.根据权利要求10所述的切割芯片粘合膜，其中所述粘结剂树脂为包括60wt％至85wt％的所述(甲基)丙烯酸烷基酯的重复单元、10wt％至35wt％的所述含羟基的(甲基)丙烯酸酯的重复单元和1wt％至10wt％的所述含环氧基的(甲基)丙烯酸酯的重复单元的共聚物。

12.根据权利要求4所述的切割芯片粘合膜，其中基于100重量份的所述粘结剂树脂，所述热固化剂的量为3至10重量份。

13.一种半导体晶片，包括贴附至所述晶片一面的根据权利要求1至12中任意一项所述的切割芯片粘合膜的粘合层和固定于晶片环形框架的所述切割芯片粘合膜的所述压敏粘结剂层。

14.一种半导体装置，包括根据权利要求1至12中任意一项所述的切割芯片粘合膜的所述粘合层和贴装在所述粘合层上的半导体芯片。