[发明专利]多晶硅氢化炉电极密封结构在审
| 申请号： | 201110331648.3 | 申请日： | 2011-10-27 |
| 公开（公告）号： | CN102616783A | 公开（公告）日： | 2012-08-01 |
| 发明（设计）人： | 姜海明;刘淑萍;曹忠 | 申请（专利权）人： | 内蒙古神舟硅业有限责任公司 |
| 主分类号： | C01B33/03 | 分类号： | C01B33/03 |
| 代理公司： | 上海汉声知识产权代理有限公司 31236 | 代理人： | 郭国中 |
| 地址： | 010070 内蒙古自治*** | 国省代码： | 内蒙古;15 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 多晶 氢化 电极 密封 结构 | ||
1.一种多晶硅氢化炉电极密封结构，包括电极体，其特征在于，还包括氢化炉底盘、金属石墨缠绕垫、陶瓷环、四氟套、铜垫圈、以及紧固件，其中，所述电极体放置在所述氢化炉底盘的电极孔中，所述电极体包括高出所述氢化炉底盘的电极上部和低于所述氢化炉底盘的电极下部，所述电极上部由所述金属石墨缠绕垫和陶瓷环进行密封，所述电极下部由所述四氟套和铜垫圈进行密封，所述紧固件将所述电极体、氢化炉底盘、金属石墨缠绕垫、陶瓷环、四氟套、以及铜垫圈夹紧连接。
2.根据权利要求1所述的多晶硅氢化炉电极密封结构，其特征在于， 所述电极上部由下往上依次嵌套有下层金属石墨缠绕垫、陶瓷环、以及上层金属石墨缠绕垫，所述下层金属石墨缠绕垫、陶瓷环、以及上层金属石墨缠绕垫对所述电极上部进行密封。
3.根据权利要求1或2所述的多晶硅氢化炉电极密封结构，其特征在于，所述电极下部由上往下依次嵌套有四氟套、以及铜垫圈，所述四氟套、以及铜垫圈对所述电极下部进行密封。
4.根据权利要求1至3中任一项所述的多晶硅氢化炉电极密封结构，其特征在于，所述电极体的上端设置有限位部，所述紧固件包括紧固螺母，其中，所述氢化炉底盘、金属石墨缠绕垫、陶瓷环、四氟套、以及铜垫圈位于所述限位部与紧固螺母之间。
5.根据权利要求1至4中任一项所述的多晶硅氢化炉电极密封结构，其特征在于，所述金属石墨缠绕垫的内侧和外侧分别设置有加强钢圈。
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