[发明专利]发光二极管晶片的切割方法有效
| 申请号： | 201110331893.4 | 申请日： | 2011-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN102368521A | 公开（公告）日： | 2012-03-07 |
| 发明（设计）人： | 杨文华 | 申请（专利权）人： | 深圳市瑞丰光电子股份有限公司;宁波市瑞康光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/00 | 分类号： | H01L33/00 |
| 代理公司： | 深圳市维邦知识产权事务所 44269 | 代理人： | 黄莉 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 发光二极管 晶片 切割 方法 | ||
1.一种发光二极管晶片的切割方法，其包括以下步骤：
提供一个发光二极管晶片，所述发光二极管晶片包括基板、多个发光二极管晶粒及封装层，所述基板包括一个第一表面及一个与所述第一表面相对的第二表面，所述多个发光二极管晶粒贴设于所述基板的第一表面上，所述封装层覆盖于所述基板的第一表面上并覆盖所述多个发光二极管晶粒；及
采用切割刀和激光分别切割所述发光二极管晶片的封装层和基板，将所述发光二极管晶片分割成多个发光二极管。
2.如权利要求1所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，在切割所述发光二极管晶片时，先采用切割刀从基板的第一表面一侧将所述封装层切断，再采用激光从所述基板的第二表面一侧将所述基板切断。
3.如权利要求2所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切割的切割深度等于所述封装层的厚度。
4.如权利要求2所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切断所述封装层后，又进一步切割基板厚度的1/20-1/2。
5.如权利要求2所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述激光切割的切割深度为基板厚度的1/2-1。
6.如权利要求1所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，在切割所述发光二极管晶片时，先采用激光从所述基板的第二表面一侧切割所述基板，再采用切割刀从基板的第一表面一侧将发光二极管晶片切断。
7.如权利要求6所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切割的切割深度等于所述封装层的厚度。
8.如权利要求7所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述切割刀切断所述封装层后，又进一步切割基板厚度的1/20-1/2。
9.如权利要求6所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，采用所述激光切割的切割深度为基板厚度的1/2-1。
10.如权利要求1所述的发光二极管晶片的切割方法，其特征在于，所述切割刀选自树脂刀、金属刀或石英刀。
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