[发明专利]一种电镀三极管引线框架

说明书

技术领域

本发明涉及一种半导体元件，尤其涉及一种电镀三极管引线框架。

背景技术

伴随电子市场的发展，半导体无器件的集成度越来越高，而且其存储量、信号处理速度和功率急速增加，然而体积却越来越小。这一趋势加速了半导体器件封装技术的发展，因此半导体器件封装技术的重要性已经受到了生产企业的关注。半导体器件的高集成度以及存储器的增加还使得输入和输出接线端子的数量也相应增加，继而也使得引线的数目相应的增加，这就要求引线的布置也必须精细。

引线框架是半导体封装中的骨架，它主要由三部分组成：散热区、芯片区和引脚区。其中芯片区在封装过程中为芯片提供机械支撑，而引脚区则是连接芯片到电路板的电学通路。引线框架的功能是至关重要的，芯片在封装过程中，往往会出现焊接点松脱的现象，因焊接不牢靠直接导致三极管失效，影响正常机器运转。为了满足市场发展的需求，引线框架在结构以及在功能方面也需要不断的创新。

发明内容

本发明的目的是提供了一种在芯片区电镀的三极管引线框架，能够提高芯片与引线框架的吸附力。

为解决上述技术问题，本发明采用如下技术方案：

一种电镀三极管引线框架，包括若干个框架单元，所述的相邻的框架单元之间通过上筋、中筋和底筋相连接，每个所述的框架单元包括散热区、芯片区和引脚区，所述的散热区位于芯片区的正上方，在所述的散热区内设置有一圆形通孔，所述的引脚区位于所述的芯片区的正下方。

其中，在所述的芯片区内设置有芯片定位区，所述的芯片定位区表面进行电镀金属层，在所述的芯片定位区与散热区之间设置有V型槽。

其中，所述的引脚区包括左侧引脚、中间引脚和右侧引脚，所述的左侧引脚和右侧引脚通过中筋和底筋相连位于中间引脚的两侧，在所述的左侧引脚和右侧引脚的上端表面进行电镀金属层，所述的左侧引脚和右侧引脚各包含三只引脚，所述的中间引脚向上延伸连接所述的芯片区。

本发明的有益效果是：在芯片定位区表面及左侧引脚和右侧引脚的上端表面进行电镀金属层，当芯片焊接于引线框架时，可以通过电镀表面的镀银提高芯片与引线框架的吸附力。且结构简单、无需外加任何部件，能够有效的提高焊接效果。

附图说明

附图1是本发明一种电镀三极管引线框架；

附图2是附图1中A-A向的剖视图。

附图中：1-散热区；2-芯片区；3-引脚区；4-上筋；5-中筋；6-下筋；11-圆形通孔；21-芯片定位区；22-V型槽；31-左侧引脚；32-中间引脚；33-右侧引脚。

具体实施方式

下面结合附图所示的实施例对本发明的技术方案作以下详细描述：

请参见附图1及附图2所示，本发明的一种电镀三极管引线框架，包括若干个框架单元，相邻的框架单元之间通过上筋4、中筋5和底筋6相连接，每个框架单元包括散热区1、芯片区2和引脚区3，散热区1位于芯片区2的正上方，在散热区1内设置有一圆形通孔11，引脚区3位于芯片区2的正下方。

其中，在芯片区2内设置有芯片定位区21，芯片定位区表面进行电镀金属层，在芯片定位区21与散热区1之间设置有V型槽22。

其中，引脚区3包括左侧引脚31、中间引脚32和右侧引脚33，左侧引脚31和右侧引脚32通过中筋5和底筋6相连位于中间引脚32的两侧，在左侧引脚31和右侧引脚33的上端表面进行电镀金属层，左侧引脚31和右侧引脚33各包含三只引脚，中间引脚32向上延伸连接所述的芯片区2。

本发明的有益效果是：在芯片定位区21表面及左侧引脚31和右侧引脚33的上端表面进行电镀金属层，当芯片焊接于引线框架时，可以通过电镀表面的镀银提高芯片与引线框架的吸附力。且结构简单、无需外加任何部件，能够有效的提高焊接效果。

最后应说明的是：以上实施例仅用以说明本发明而并非限制本发明所描述的技术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本发明已进行了详细的说明，但是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本发明进行修改或等同替换；而一切不脱离本发明的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本发明的权利要求范围中。