[发明专利]用于在芯片封装装置中填充接触孔的方法以及芯片封装装置无效
申请号: | 201110331997.5 | 申请日: | 2011-09-09 |
公开(公告)号: | CN102403268A | 公开(公告)日: | 2012-04-04 |
发明(设计)人: | B·阿勒斯;E·富尔古特;J·马勒;I·尼基廷 | 申请(专利权)人: | 英飞凌科技股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/768 | 分类号: | H01L21/768;H01L21/60;H01L23/488 |
代理公司: | 中国专利代理(香港)有限公司 72001 | 代理人: | 王岳;卢江 |
地址: | 德国瑙伊比*** | 国省代码: | 德国;DE |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 用于 芯片 封装 装置 填充 接触 方法 以及 | ||
1.一种用于填充芯片封装装置中的接触孔的方法,所述方法包括:
向芯片封装的接触孔中引入导电离散颗粒;以及
在所述导电颗粒和所述芯片的正面和反面中的至少一个的接触端子之间形成电接触。
2.权利要求1的方法,
其中所述导电离散颗粒被涂布有导电材料。
3.权利要求1的方法,
其中所述导电离散颗粒被涂布有金属和本征导电聚合物材料中的至少一个。
4.权利要求1的方法,
其中所述导电离散颗粒是金属颗粒。
5.权利要求1的方法,
其中所述导电离散颗粒的直径在从约1nm到约50μm的范围内。
6.权利要求1的方法,还包括:
在所述芯片封装的上表面上形成金属化层,使得所述金属化层与所述接触孔中的所述导电离散颗粒电接触,由此在所述金属化层和所述芯片的正面和反面中的至少一个的接触端子之间经由所述导电离散颗粒形成电接触。
7.权利要求1的方法,还包括:
以使得充分地完全填充所述接触孔的方式部分地熔化或烧结或固化所述导电颗粒。
8.权利要求1的方法,还包括:
在向所述芯片封装的所述接触孔中引入所述导电离散颗粒之后,电填充所述接触孔。
9.权利要求1的方法,
其中所述接触孔的直径/半径在从约1μm到约500μm的范围内。
10.权利要求1的方法,
其中所述接触孔包括多个接触孔。
11.权利要求10的方法,
其中所述多个接触孔中的至少某些接触孔具有不同的深度。
12.权利要求1的方法,还包括:
形成芯片载体;
在引线框架上形成芯片封装;
在所述芯片封装中形成接触孔,使得所述接触孔暴露所述芯片载体的至少一部分。
13.一种形成到芯片封装装置中的芯片的接触的方法,所述方法包括:
形成芯片封装以至少部分地设置在芯片上,所述芯片包括接触端子;
在所述芯片封装中形成接触孔;
向所述接触孔中引入导电离散颗粒;以及
在所述导电颗粒和所述芯片的正面和反面中的至少一个的接触端子之间形成电接触。
14.权利要求13的方法,还包括:
以使得充分地完全填充所述接触孔的方式部分地熔化或烧结或固化所述导电颗粒。
15.权利要求13的方法,还包括:
在向所述芯片封装的所述接触孔中引入所述导电离散颗粒之后,电填充所述接触孔。
16.权利要求15的方法,还包括:
在电填充所述接触孔之前,化学活化所述接触孔中的所述导电离散颗粒。
17.权利要求13的方法,
其中所述接触孔的直径/半径在从约1μm到约500μm的范围内。
18.权利要求13的方法,还包括:
在所述导电颗粒和所述芯片封装中提供的另一芯片的接触端子之间形成电接触。
19.一种芯片封装装置,包括:
包括接触端子的芯片;
至少部分地设置在所述芯片上的芯片封装,所述芯片封装包括接触孔;
在所述接触孔中的导电离散颗粒;以及
其中所述导电离散颗粒形成在所述接触孔中,使得提供在所述导电颗粒和所述芯片的正面和反面中的至少一个的接触端子之间的电接触。
20.权利要求19所述的芯片封装装置,
其中所述导电离散颗粒被涂布有导电材料。
21.权利要求19所述的芯片封装装置,
其中所述导电离散颗粒被涂布有金属和本征导电聚合物材料中的至少一个。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造