[发明专利]半导体模块及其制造方法无效

专利信息
申请号: 201110332018.8 申请日: 2011-09-13
公开(公告)号: CN102403296A 公开(公告)日: 2012-04-04
发明(设计)人: U·基尔希纳;R·西米尼克 申请(专利权)人: 英飞凌科技股份有限公司
主分类号: H01L23/495 分类号: H01L23/495;H01L21/48
代理公司: 中国专利代理(香港)有限公司 72001 代理人: 刘春元;卢江
地址: 德国瑙伊比*** 国省代码: 德国;DE
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要:
搜索关键词: 半导体 模块 及其 制造 方法
【权利要求书】:

1.一种模块,包括:

半导体芯片;

第一接触元件和第二接触元件,其与半导体芯片隔开并电耦合到半导体芯片,其中第一接触元件的表面和第二接触元件的表面被布置在公共平面中;

电绝缘材料,其具有在第一接触元件和第二接触元件之间的区域中的平坦表面;以及

从电绝缘材料的平坦表面突出的突出元件和/或在电绝缘材料的平坦表面中的凹陷。

2.权利要求1的模块,其中突出元件或凹陷包括与电绝缘材料整体地形成的突出元件。

3.权利要求1的模块,其中电绝缘材料的平坦表面被布置在所述公共平面中。

4.权利要求1的模块,其中半导体芯片具有在第一主表面上的第一电极和在与第一主表面相对的第二主表面上的第二电极,并且第一接触元件电耦合到第一电极且第二接触元件电耦合到第二电极。

5.权利要求1的模块,其中第一接触元件和第二接触元件是其上放置半导体芯片的引线框的部分。

6.权利要求1的模块,还包括衬底,所述衬底包括与第一接触元件电接触的第一端子和与第二接触元件电接触的第二端子。

7.权利要求6的模块,其中所述衬底具有突出元件和/或凹陷,所述突出元件伸入到电绝缘材料中的凹陷中,所述凹陷容纳从电绝缘材料突出的突出元件。

8.权利要求6的模块,其中所述衬底是印刷电路板。

9.一种模块,包括:

半导体芯片;

第一接触元件和第二接触元件,其与半导体芯片隔开并电耦合到半导体芯片;

电绝缘材料,其包埋半导体芯片,其中电绝缘材料、第一接触元件和第二接触元件形成安装表面;以及

突出元件,其从第一接触元件和第二接触元件之间的安装表面突出。

10.权利要求9的模块,其中所述突出元件与电绝缘材料整体地形成。

11.权利要求9的模块,其中所述模块是无引线模块。

12.权利要求9的模块,其中第一接触元件和第二接触元件被包埋在电绝缘材料中,并且第一接触元件的表面和第二接触元件的表面在安装表面处从电绝缘材料暴露出来。

13.一种系统,包括:

模块,包括:

半导体芯片;

第一接触元件和第二接触元件,其与半导体芯片隔开并电耦合到半导体芯片;

电绝缘材料,其包埋半导体芯片,其中电绝缘材料、第一接触元件和第二接触元件形成安装表面;

突出元件,其从第一接触元件和第二接触元件之间的安装表面突出;以及

衬底,其包括凹陷,其中模块以如下方式被安装在衬底上,其中模块的安装表面面向衬底并且衬底的凹陷容纳模块的突出元件。

14.权利要求13的系统,其中所述模块为无引线模块。

15.权利要求13的系统,其中所述衬底是印刷电路板。

16.一种方法,包括:

提供半导体芯片、电耦合到半导体芯片的第一接触元件和电耦合到半导体芯片的第二接触元件,其中第一接触元件的表面和第二接触元件的表面被布置在公共平面中;

在电绝缘材料中包埋半导体芯片,其中电绝缘材料具有在第一接触元件和第二接触元件之间的区域中的平坦表面;以及

形成突出元件和/或凹陷,所述突出元件从电绝缘材料的平坦表面突出,所述凹陷位于电绝缘材料的平坦表面中。

17.权利要求16的方法,其中所述突出元件或凹陷在半导体芯片被包埋在电绝缘材料中时形成。

18.权利要求16的方法,其中所述电绝缘材料的平坦表面被布置在公共平面中。

19.权利要求16的方法,其中所述半导体芯片具有在第一主表面上的第一电极和在与第一主表面相对的第二主表面上的第二电极,并且第一接触元件电耦合到第一电极且第二接触元件电耦合到第二电极。

下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于英飞凌科技股份有限公司,未经英飞凌科技股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110332018.8/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top