[发明专利]光电半导体装置有效
申请号: | 201110332540.6 | 申请日: | 2008-12-05 |
公开(公告)号: | CN102361054A | 公开(公告)日: | 2012-02-22 |
发明(设计)人: | 陈彦文;陈威佑;王健源;谢明勋;陈泽澎 | 申请(专利权)人: | 晶元光电股份有限公司 |
主分类号: | H01L33/38 | 分类号: | H01L33/38;H01L31/0224 |
代理公司: | 北京市柳沈律师事务所 11105 | 代理人: | 屈玉华 |
地址: | 中国台*** | 国省代码: | 中国台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 光电 半导体 装置 | ||
1.一种半导体光电元件,包含:
第一电性层;
第二电性层;
第一打线垫,电性连接至该第一电性层;
第二打线垫,电性连接至该第二电性层;
第一延伸线路,连接至该第一打线垫;及
第二延伸线路,连接至该第二打线垫,并与该第一延伸线路以立体跨接 方式交错于该第一电性层及该第二电性层上方。
2.如权利要求1所述的半导体光电元件,其中该第二延伸线路形成至少 一个封闭的图案。
3.如权利要求1所述的半导体光电元件,其中该第二延伸线路与该第一 电性层之距离小于该第一延伸线路与该第一电性层之距离。
4.如权利要求1所述的半导体光电元件,其中该第二延伸线路包围该第 一延伸线路。
5.如权利要求1所述的半导体光电元件,更包含一第一接触区,穿过该 第二电性层。
6.如权利要求1所述的半导体光电元件,更包含一第一接触区,被该第 二延伸线路包围。
7.如权利要求1所述的半导体光电元件,更包含一绝缘层,位于该第一 延伸线路与该第二延伸线路交错之处。
8.如权利要求1所述的半导体光电元件,更包含一沟渠,暴露出该第一 电性层之一部分。
9.一种半导体光电元件,包含:
第一电性层;
第二电性层;
第一打线垫,电性连接至该第一电性层;
第二打线垫,位于该第二电性层之上;
第一延伸线路,连接至该第一打线垫;及
第二延伸线路,连接至该第二打线垫,并与该第一延伸线路以立体跨接 方式交错。
10.一种半导体光电元件,包含:
第一电性层;
第二电性层;
第一打线垫,电性连接至该第一电性层;
第二打线垫,电性连接至该第二电性层;
第一延伸线路,连接至该第一打线垫;及
第二延伸线路,连接至该第二打线垫,并与该第一延伸线路以立体跨接 方式交错于该第二电性层上方。
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