[发明专利]一种湿法洗净装置有效
申请号: | 201110332555.2 | 申请日: | 2011-10-28 |
公开(公告)号: | CN103094150A | 公开(公告)日: | 2013-05-08 |
发明(设计)人: | 刘立成;杨继业;刘波 | 申请(专利权)人: | 上海华虹NEC电子有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;B08B3/04 |
代理公司: | 上海浦一知识产权代理有限公司 31211 | 代理人: | 王函 |
地址: | 201206 上*** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 湿法 洗净 装置 | ||
1.一种湿法洗净装置,其特征在于,包括:可编程序逻辑控制器、液位传感器、液位传感器采样管路和洗净槽;所述洗净槽内设有H2O、HF、HNO3的进入管路,该进入管路上设有开关控制阀和气动阀,该气动阀由可编程序逻辑控制器控制;所述可编程序逻辑控制器与液位传感器连接;所述液位传感器采样管路包括HF、HNO3和H2O液位传感器采样管路,所述液位传感器采样管路的管口位于洗净槽内;当液位到达液位传感器采样管路的管口位置时,液位传感器闭合,同时给可编程序逻辑控制器信号,可编程序逻辑控制器控制相应气动阀关闭,停止该路液体的供应;所述HF液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为300mm;所述HNO3液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为200mm;所述H2O液位传感器采样管路的管口到洗净槽底部的距离为100mm。
2.如权利要求1所述的湿法洗净装置,其特征在于,所述洗净装置的刻蚀条件比例为:HF∶HNO3∶H2O=1∶1∶1,上述比例指体积比。
3.如权利要求1所述的湿法洗净装置,其特征在于,所述液位传感器采样管路上设有过滤器。
4.如权利要求1所述的湿法洗净装置,其特征在于,所述开关控制阀为手动阀,该手动阀的手柄顺时针旋转到底为关的状态,逆时针旋转到底为开的状态,该手动阀是H2O、HF、HNO3进入设备的控制阀。
5.如权利要求1所述的湿法洗净装置,其特征在于,所述洗净槽底部还设有排液管路,排液管路上还设有气动阀,所述气动阀由可编程序逻辑控制器控制;当排液时,所述可编程序逻辑控制器控制相关排液管路上的气动阀打开进行排液。
6.如权利要求1或5所述的湿法洗净装置,其特征在于,所述气动阀由可编程序逻辑控制器控制,以压缩空气为驱动源。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海华虹NEC电子有限公司,未经上海华虹NEC电子有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201110332555.2/1.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造