[发明专利]85Kr源的制备及回收工艺

说明书

技术领域

本发明属于放射性同位素技术领域，具体涉及⁸⁵Kr源的制备及回收工艺。

背景技术

β射线测厚仪在纸张、塑料薄膜生产线对质量的控制起着关键的作用，在工业上已得到广泛应用。⁸⁵Kr源是三种常见的β测厚源(¹⁴⁷Pm，⁹⁰Sr/⁹⁰Y，⁸⁵Kr)中的一种。由于⁸⁵Kr原料丰度低、制备工艺落后，目前⁸⁵Kr源生产工艺制备的⁸⁵Kr源体积大、活度小，只能满足一小部分测厚仪的使用要求。同时⁸⁵Kr源生产过程中不可避免的会产生不合格品并可能发生泄露现象，而且经过十几年的生产应用，产生了大量的废旧⁸⁵Kr源，这些气体一旦存储不当就会造成⁸⁵Kr泄露，势必会对周围环境造成影响。

发明的内容

本发明针对现有工艺中存在的问题，提供了一种⁸⁵Kr源的制备及回收工艺，该制备工艺能够使制备的⁸⁵Kr源体积小、活度高且回收工艺能够使废源回收彻底。

为解决上述问题，本发明是通过以下方案实现的：

(a)制备工艺包括以下步骤：

(i)对⁸⁵Kr源制备工艺的真空系统及源壳抽真空，使系统内真空度小于5Pa；

(ii)向真空系统里充入⁸⁵Kr气体；

(iii)冷却源壳，将源壳放入装有液氮的容器中，保持液面高于源壳。由于液氮冷却使源壳中气体压力降低，⁸⁵Kr气体就会由压力相对较高的真空系统收集至压力相对较低的源壳里，当真空系统的压力小于5Pa时，停止冷却，冷却时间一般为1～5分钟；

(iv)用冷焊钳将源壳封割取下并将封割下的源用锡焊对封割处进行锡焊密封处理。在源壳检漏合格情况下，对⁸⁵Kr源活度进行测量以定值，检漏不合格情况下，要对源壳进行焊封处理后二次检漏，二次检漏仍不合格情况下，对源壳再次密封处理后待回收。

(b)回收工艺的步骤为：

(i)对废源进行检漏，若有泄露，要对废源进行密封处理直至检漏合格；

(ii)对回收系统抽真空，将检漏合格的废源装入回收装置中并对回收装置抽真空，使系统内压力小于5Pa；

(iii)按下回收装置里的扎锥将源窗扎破使⁸⁵Kr气体进入回收系统；

(iv)冷却废源回收罐，通过液氮冷却使废源回收罐的气体压力降低，⁸⁵Kr气体由压力相对较高的回收装置经管道进入压力相对较低的废源回收罐，当回收系统中的压力小于5Pa时，停止冷却；

本发明公开的⁸⁵Kr源的制备及回收工艺，关键在于：在⁸⁵Kr制备和回收过程中，采用冷却技术，本发明优选液氮冷却。

目前常用的⁸⁵Kr源规格为ф34mm×34mm、ф28mm×34mm、ф22mm×34mm、ф15mm×30mm，而现有技术制备的⁸⁵Kr源活度最高为300mCi。与现有技术相比，本发明的有益效果为：(1)由于在制备工艺中引入了液氮冷却技术，使制备的相同规格的⁸⁵Kr源活度高，最高活度可达1000mCi。(2)在现有技术中，没有引入⁸⁵Kr废源回收工艺，有可能对周围环境造成一定的辐射污染，采用本发明提供的工艺使废源回收彻底，回收后源壳的活度测量值为OmCi。

附图说明

图1⁸⁵Kr源的制备工艺流程图；

图2⁸⁵Kr源的回收工艺流程图。

具体实施方式

下面结合工艺流程图与具体实施方式对本发明做进一步详细描述。

(1)⁸⁵Kr源的制备实验

实施例1

首先打开真空系统对制备工艺的真空系统抽真空，将源壳连接到真空系统上并对源壳抽真空，使系统内压力小于5Pa。