[发明专利]低位错氮化镓的生长方法

权利要求书

1.一种低位错氮化镓的生长方法，包括如下步骤：

步骤1：取一基板，该基板包括一衬底和制作在其上的氮化镓模板；

步骤2：用腐蚀液腐蚀氮化镓模板的表面，在氮化镓模板的表面形成六角微坑；

步骤3：在具有六角微坑的氮化镓模板的表面涂覆二氧化硅凝胶，将六角微坑覆盖，用甩胶机进行甩胶处理；

步骤4：采用高温烧结使氮化镓模板上的二氧化硅凝胶固化；

步骤5：用NaOH溶液处理，除去氮化镓模板11上微坑以外的二氧化硅凝胶；

步骤6：再采用高温烧结，使六角微坑内的二氧化硅凝胶变成晶体；

步骤7：在处理后的氮化镓模板上外延氮化镓材料，完成低位错氮化镓的生长。

2.根据权利要求1所述的低位错氮化镓的生长方法，其中步骤2中腐蚀液为KOH溶液，温度为80℃，腐蚀时间为1-2min，或者腐蚀液的体积比为H₂SO₄∶H₃PO₄＝3∶1，温度为260℃，腐蚀时间为4-8min。

3.根据权利要求1所述的低位错氮化镓的生长方法，其中步骤2的六角微坑的深度小于氮化镓模板的深度。

4.根据权利要求1所述的低位错氮化镓的生长方法，其中步骤3中甩胶处理为：用甩胶机匀胶，匀胶的转速为500转/min，时间为5s；再用甩胶机甩胶，甩胶的转速为8000转/min，时间为20s。

5.根据权利要求1所述的低位错氮化镓的生长方法，其中步骤4的高温烧结的温度为600℃，使二氧化硅凝胶固化。

6.根据权利要求1所述的低位错氮化镓的生长方法，其中步骤5的NaOH溶液的质量比为30％，温度为60℃，时间为1-5min。

7.根据权利要求1所述的低位错氮化镓的生长方法，其中步骤6的高温烧结的温度为1100-1300℃，使得六角微坑内二氧化硅变成晶体，使其能在MOCVD中高温生长。